[发明专利]一种半模基片集成波导漏波天线

权利要求书

1.一种半模基片集成波导漏波天线，其特征在于，包括：介质基片、第一金属贴片、第二金属贴片和变容二极管；

其中，所述第一金属贴片和所述第二金属贴片设置在所述介质基片的两面，所述第一金属贴片上设置有贴片开口；在所述第一金属贴片上刻蚀有预设数量的第一交指槽、所述预设数量的第二交指槽和金属通孔阵列，所述贴片开口位于刻蚀有所述第一交指槽的区域和刻蚀有所述第二交指槽的区域之间；所述金属通孔阵列贯穿于所述介质基片、所述第一金属贴片和所述第二金属贴片，并接地；以所述介质基片的宽边作为0°基准，所述第一交指槽的长边偏转-45°的角度，所述第二交指槽的长边偏转45°的角度；在所述第一交指槽和所述第二交指槽上分别设置有对应的所述变容二极管；

所述第一金属贴片未刻蚀有所述第一交指槽和所述第二交指槽的一侧区域构成定向耦合器；所述定向耦合器的一侧端面及所述介质基片和所述第二金属贴片与其同侧的端面构成馈电端面，所述第一金属贴片与所述定向耦合器相对的一侧端面及所述介质基片和所述第二金属贴片与其同侧的端面也构成馈电端面；所述定向耦合器与刻蚀有所述第一交指槽的区域之间、刻蚀有所述第二交指槽的区域之间的连接部分分别构成微带馈线，刻蚀有所述第一交指槽的区域、刻蚀有所述第二交指槽的区域与对应的馈电端面之间的连接部分也分别构成微带馈线；

所述变容二极管位于所述第一交指槽、所述第二交指槽的开放边界处，所述开放边界为所述第一交指槽、所述第二交指槽在所述第一金属贴片的边缘形成的开口。

2.根据权利要求1所述的半模基片集成波导漏波天线，其特征在于，所述馈电端面包括：第一馈电端面、第二馈电端面、第三馈电端面和第四馈电端面；

所述定向耦合器的一侧具有凹口，凹口一边的端面部分及所述介质基片和所述第二金属贴片与其同侧的端面构成所述第一馈电端面，凹口另一边的端面部分及所述介质基片和所述第二金属贴片与其同侧的端面构成所述第二馈电端面；

所述第一金属贴片与所述定向耦合器相对的、且位于所述贴片开口一边的端面及所述介质基片和所述第二金属贴片与其同侧的端面构成第三馈电端面；所述第一金属贴片与所述定向耦合器相对的、且位于所述贴片开口另一边的端面及所述介质基片和所述第二金属贴片与其同侧的端面构成第四馈电端面；

所述定向耦合器与刻蚀有所述第一交指槽的区域之间构成第一微带馈线，所述定向耦合器与刻蚀有所述第二交指槽的区域之间构成第二微带馈线；刻蚀有所述第一交指槽的区域与所述第三馈电端面之间的连接部分构成第三微带馈线，刻蚀有所述第二交指槽的区域与所述第四馈电端面之间的连接部分构成第四微带馈线。

3.根据权利要求1所述的半模基片集成波导漏波天线，其特征在于，所述金属通孔阵列包括：第一金属通孔阵列、第二金属通孔阵列和第三金属通孔阵列；

所述第一金属通孔阵列位于所述第一金属贴片刻蚀有所述第一交指槽的区域的一侧，排列方向平行于所述第一交指槽的排列方向；所述第二金属通孔阵列位于所述第一金属贴片刻蚀有所述第二交指槽的区域的一侧，排列方向平行于所述第二交指槽的排列方向；所述第三金属通孔阵列包含三列金属通孔，分别位于所述第一金属贴片上构成所述定向耦合器一侧的宽边边缘及中间。

4.根据权利要求1所述的半模基片集成波导漏波天线，其特征在于，还包括：外围电路和第四金属通孔阵列；

每个所述第一交指槽和所述第二交指槽均对应一个所述外围电路；所述外围电路包括直流电源、隔直电容、分压电阻、射频扼流电感和所述变容二极管；所述射频扼流电感与所述第四金属通孔阵列连接，所述第四金属通孔阵列接地；所述直流电源的正极、所述分压电阻、所述变容二极管和所述射频扼流电感为串联连接关系；所述直流电源的负极接地；所述隔直电容与所述变容二极管为并联连接关系。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半模基片集成波导漏波天线，其特征在于，所述半模基片集成波导漏波天线的工作频率范围为21GHz～24GHz，变容二极管的电容值变化范围为0.05pF～2pF。

6.根据权利要求5所述的半模基片集成波导漏波天线，其特征在于，所述半模基片集成波导漏波天线的工作频率范围为21.4GHz～23.4GHz。