[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包含：

一第一绕组，实质上位于一半导体结构的一第一金属层，包含：

一第一外部线圈；

一第一内部线圈，位于该第一外部线圈所实质包围的一第一范围内；以及

一第一跨接结构，包括第一金属线段和第二金属线段，所述第一金属线段连接所述第一外部线圈的第一端点与所述第一内部线圈的第一端点，所述第二金属线段连接所述第一外部线圈的第二端点与所述第一内部线圈的第二端点，所述第一金属线段和所述第二金属线段位于该第一内部线圈所实质包围的一第二范围内；以及

一第二绕组，实质上位于该半导体结构的一第二金属层，包含：

一第二外部线圈；

一第二内部线圈，位于该第二外部线圈所实质包围的一第三范围内；以及

一第二跨接结构，位于该第二内部线圈所实质包围的一第四范围内，用来连接该第二外部线圈及该第二内部线圈；

其中，该第一跨接结构实质上位于该半导体结构的该第二金属层，以及该第二跨接结构实质上位于该半导体结构的该第一金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第二跨接结构包含位于该第一金属层的一第三金属线段及一第四金属线段。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属线段及该第二金属线段实质上平行。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第一金属线段及与其相连接的金属线段共同形成一ㄇ字形。

5.一种半导体元件，实质上对称于一对称轴，包含：

一第一绕组，具有一第一端点、一第二端点及一第三端点，实质上位于一半导体结构的一第一金属层，包含：

一第一外部线圈，其中该第一端点及该第二端点位于该第一外部线圈；

一第一内部线圈，位于该第一外部线圈所实质包围的一第一范围内；以及

一中央抽头，形成该第三端点且实质上位于该半导体结构的一第二金属层，其中该中央抽头由该第一内部线圈所实质包围的一第二范围内延伸至该第一范围外且对称于该对称轴；以及

一第二绕组，具有一第四端点及一第五端点，实质上位于该半导体结构的该第一金属层，包含：

一第二外部线圈，其中该第四端点及该第五端点位于该第二外部线圈；以及

一第二内部线圈，位于该第二外部线圈所实质包围的一第三范围内。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其中该半导体元件更包含：

一第一跨接结构，实质上位于该第二金属层，用来连接该第一外部线圈及该第一内部线圈；以及

一第二跨接结构，实质上位于该第二金属层，用来连接该第二外部线圈及该第二内部线圈；

其中，该中央抽头对称于该对称轴，但不与该第一跨接结构或该第二跨接结构重叠。

7.根据权利要求5所述的半导体元件，其中该中央抽头系为一封闭的多边形结构，该封闭的多边形结构对称于该对称轴且围绕出一第四范围。

8.根据权利要求5所述的半导体元件，更包含：

一第三绕组，实质上位于该半导体结构的一第三金属层，包含：

一第三外部线圈；

一第三内部线圈，位于该第三外部线圈所实质包围的一第四范围内；以及

一跨接结构，位于该第三内部线圈所实质包围的一第五范围内，或位于该第四范围外，用来连接该第三外部线圈及该第三内部线圈；

其中，该跨接结构实质上位于该半导体结构的该第一金属层或该第二金属层。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其中该跨接结构及与其相连接的金属线段共同形成一ㄇ字形。

10.一种半导体元件，制作于一半导体结构中的三层金属层，包含：

一第一绕组，包含：

一第一外部线圈，位于一第一金属层；

一第一内部线圈，位于该第一金属层，且位于该第一外部线圈所实质包围的范围内；以及

一第一跨接结构，位于一第二金属层，用来连接该第一外部线圈及该第一内部线圈；一第二绕组，包含：

一第二外部线圈，位于该第一金属层；

一第二内部线圈，位于该第一金属层，且位于该第二外部线圈所实质包围的范围内；以及

一第二跨接结构，位于该第二金属层，用来连接该第二外部线圈及该第二内部线圈；以及

一第三绕组，与该第一绕组或该第二绕组实质上重叠，包含：

一第三外部线圈，位于一第三金属层；

一第三内部线圈，位于该第三金属层，且位于该第三外部线圈所实质包围的范围内；以及

一第三跨接结构，位于该第一金属层或该第二金属层，用来连接该第三外部线圈及该第三内部线圈；

其中，该第三跨接结构及与其相连接的金属线段共同形成一ㄇ字形结构。