[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

基底；

超低K介电层，位于所述基底上；

互连结构，嵌于所述超低K介电层中并且露出所述互连结构的顶部表面；

覆盖层，位于所述超低K介电层和所述互连结构上；

其中，所述互连结构和所述覆盖层经热固化处理得到，以消除所述互连结构中的应力，所述覆盖层分多次来形成并且在每次形成之后均对所述覆盖层进行热固化处理。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述覆盖层包括依次堆叠的第一层和第二层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述覆盖层的厚度为100埃～800埃。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述覆盖层包括含碳的氮化硅材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

钝化层，位于所述覆盖层上；

顶部金属层和/或顶部通孔，形成于所述钝化层中并与所述互连结构电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述钝化层包括正硅酸乙酯层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述超低K介电层的K值在2.5以下。

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有超低K介电层以及嵌于所述超低K介电层中并露出顶部表面的互连结构；

在所述超低K介电层和所述互连结构上形成覆盖层，以覆盖所述超低K介电层和所述互连结构；

执行热固化步骤，以消除所述互连结构中的应力；

重复执行形成所述覆盖层的步骤和所述热固化步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，重复一次形成所述覆盖层的步骤和所述热固化步骤。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为100埃～800埃。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述覆盖层包括含碳的氮化硅材料。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述热固化步骤的时间为100s～500s。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述热固化步骤的温度为200摄氏度～400摄氏度。

14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述覆盖层之后所述方法还包括：

在所述覆盖层上形成钝化层；

在所述钝化层中形成与所述互连结构电连接的顶部金属层和/或顶部通孔。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述钝化层包括正硅酸乙酯层。

16.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述超低K介电层的K值在2.5以下。

17.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至7之一所述的半导体器件。