[发明专利]芯片封装结构的制作方法与基板结构有效

专利信息
申请号: 201710146934.X 申请日: 2017-03-13
公开(公告)号: CN108615686B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 李婷婷;陈宪章;黄东鸿 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/12
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 制作方法 板结
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供载板,且所述载板包括基材与连接所述基材的离型膜;

形成叠层结构层于所述离型膜上,并图案化所述叠层结构,以形成贯穿至少部分所述叠层结构的预断沟槽,其中所述预断沟槽位于所述叠层结构的边缘,且将所述叠层结构划分为芯片设置部与预断部;

设置芯片于所述芯片设置部上;

形成封装胶体于所述芯片设置部上,并包覆所述芯片,且所述封装胶体于所述叠层结构上的垂直投影与所述预断部不重叠;以及

沿所述预断沟槽断开所述预断部与所述芯片设置部,并通过所述预断部移除所述离型膜与所述基材。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,形成所述叠层结构于所述离型膜上,并图案化所述叠层结构,以形成贯穿至少部分所述叠层结构的所述预断沟槽的步骤包括:

形成第一防焊层于所述离型膜上,并图案化所述第一防焊层,以形成贯穿所述第一防焊层的第一沟槽,且所述第一沟槽暴露出所述离型膜;

形成导电层于所述第一防焊层上,并图案化所述导电层,以形成贯穿所述导电层的第二沟槽,且所述第二沟槽与所述第一沟槽相对准;以及

形成第二防焊层于所述导电层上,并图案化所述第二防焊层,以形成贯穿所述第二防焊层的第三沟槽,且所述第三沟槽与所述第二沟槽相对准,所述预断沟槽由所述第一沟槽、所述第二沟槽以及所述第三沟槽所组成。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述预断部包括部分所述第一防焊层、部分所述导电层以及部分所述第二防焊层。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,形成所述叠层结构于所述离型膜上,并图案化所述叠层结构,以形成贯穿至少部分所述叠层结构的所述预断沟槽的步骤包括:

形成第一防焊层于所述离型膜上;

设置核心层于所述第一防焊层上;

形成导电层于所述核心层上,并图案化所述导电层,以形成贯穿所述导电层的第一沟槽,且所述第一沟槽暴露出所述核心层;以及

形成第二防焊层于所述导电层上,并图案化所述第二防焊层,以形成贯穿所述第二防焊层的第二沟槽,且所述第二沟槽与所述第一沟槽相对准,所述预断沟槽由所述第一沟槽与所述第二沟槽所组成。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述预断部包括部分所述导电层与部分所述第二防焊层。

6.根据权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述预断沟槽将所述第一防焊层与所述核心层划分为与所述芯片设置部相重叠的第一部分以及与所述预断部相重叠的第二部分,当沿所述预断沟槽断开所述预断部与所述芯片设置部,并通过所述预断部移除所述离型膜与所述基材时,所述第一部分与所述第二部分被断开,使所述第二部分随所述离型膜与所述基材被移除。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,形成贯穿至少部分所述叠层结构的所述预断沟槽的步骤包括使所述预断沟槽自所述叠层结构的第一侧边延伸至与所述第一侧边相连接的第二侧边。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述预断沟槽具有相对两端部,且所述两端部分别与所述第一侧边及所述第二侧边保持距离。

9.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,形成贯穿至少部分所述叠层结构的所述预断沟槽的步骤包括使所述预断沟槽自所述叠层结构的第一侧边延伸至与所述第一侧边互为平行的第二侧边。

10.根据权利要求9所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述预断沟槽具有相对两端部,且所述两端部分别与所述第一侧边及所述第二侧边保持距离。

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