[发明专利]半导体激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上的下限制层及设置于所述下限制层上的下波导层、第一掩膜波导、第二掩膜波导，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导分别位于所述下波导层的两侧，所述半导体激光器还包括依次叠层设置于所述下波导层上的有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层，所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导为条形掩膜波导。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的材质为氮化硅；和/或所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导之间的间隔为2～10μm。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的厚度均为200～500nm；和/或所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的宽度均为100μm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导对称设置于所述下波导层的两侧。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层均延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。

7.一种半导体激光器，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上的下限制层及设置于所述下限制层上的下波导层、第一掩膜波导、第二掩膜波导、第一缓冲层；所述第一缓冲层位于所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导之间并延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面，所述第一缓冲层设置于所述下波导层与所述下限制层之间且所述下波导层完全覆盖所述第一缓冲层；所述半导体激光器还包括依次叠层设置于所述下波导层上的有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层，所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面；所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导对称设置于所述第一缓冲层的两侧；所述下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层均延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导为条形掩膜波导。

9.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的材质为氮化硅；和/或所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导之间的间隔为2～10μm。

10.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的厚度均为200～500nm；和/或所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的宽度均为100μm。

11.根据权利要求7～10任一所述的半导体激光器，其特征在于，还包括设置于所述掩膜层与所述下限制层之间的过渡层及设置于所述下限制层与所述衬底之间的第二缓冲层。

12.根据权利要求11所述的半导体激光器，其特征在于，所述衬底的材质为N型氮化镓，所述第二缓冲层的材质为N型掺杂的氮化镓，所述下限制层的材质为N型掺杂的氮化铝镓，所述过渡层的材质为N型氮化镓，所述第一缓冲层的材质为N型掺杂的氮化镓，所述下波导层的材质为N型掺杂的氮化铟镓，所述上波导层的材质为P型掺杂的氮化铟镓，所述电子阻挡层的材质为P型掺杂的氮化铝镓，所述上限制层的材质为P型掺杂的氮化铝镓，所述接触层的材质为P型掺杂的氮化镓，所述有源层为量子阱，其包括交替生长的掺杂的氮化镓量子垒层和掺杂的氮化铟镓量子阱层。

13.一种如权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底并在所述衬底上依次叠层生长形成下限制层和掩膜层；

应用刻蚀工艺刻蚀所述掩膜层，以在所述下限制层上形成第一掩膜波导和第二掩膜波导；

在所述下限制层上依次叠层生长形成下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导分别位于所述下波导层的两侧，所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。