[发明专利]具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法有效
申请号: | 201710147379.2 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN108570160B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 范润华;解培涛;张子栋;刘峣 | 申请(专利权)人: | 苏州市迈尔特材料科技有限公司 |
主分类号: | C08J7/046 | 分类号: | C08J7/046;C08L27/16;C08K3/04;C08K7/00;C09D163/00;H01G4/08;H01G4/18 |
代理公司: | 北京恩赫律师事务所 11469 | 代理人: | 赵文成 |
地址: | 215511 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 mhz 介电常数 电容器 材料 制备 方法 | ||
1.一种具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,包括:
步骤1:负介电层材料石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料的制备;
11)粉料的混合:将石墨烯和聚偏氟乙烯粉体在球磨机内混合干磨得到混合粉料;
12)成型:称量一定质量的混合粉料,以保证完全填充模具,成型;
石墨烯粉料为层数5-10层的石墨烯片;聚偏氟乙烯原料为粒径为1μm-5μm的白色无其他有色离子掺杂的粉体;
步骤2:在石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料上制备环氧树脂涂层。
2.根据权利要求1所述的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,所述石墨烯占混合粉料的质量百分比为18%-30%。
3.根据权利要求1所述的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,所述步骤11)中,石墨烯和聚偏氟乙烯粉体的加料顺序为先放一半聚偏氟乙烯,再放入石墨烯,再将剩余的聚偏氟乙烯粉料放入,保证石墨烯在中间;
当使用行星式球磨机混合时,总的球料比为1.5~2:1,球磨转速为150r/min-300r/min,球磨时间为1-2小时;当使用振动球磨机混料时,球料比为1.5~3:1,先低频振动15-20秒,然后高频振动90-120秒,循环4-6次。
4.根据权利要求3所述的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,所述步骤12)中,当为热压成型时:成型压力为10MPa-15MPa,热压温度为170℃-200℃,保压时间为20min-30min,保压后自然冷却或水冷;
当为加压成型时,压力为30MPa-45MPa,泄压速率为10MPa/min-30MPa/min,泄压后145℃-160℃处理,保温20min。
5.根据权利要求1所述的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,所述步骤2具体实施步骤为:
21)将环氧树脂与固化剂混合,搅拌均匀后,室温下固化一段时间;
22)将上述环氧树脂和固化剂去除气泡;
23)取适量液态环氧树脂,滴于石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料,使环氧树脂覆盖复合材料的顶面;
24)将23)得到的材料干燥,即得具有MHz高介电常数的超构电容器材料。
6.根据权利要求5所述的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,所述步骤21)中,环氧树脂与固化剂的体积比为1:1,室温固化6-8小时;
所述步骤23)中,利用旋涂工艺将环氧树脂覆盖复合材料的顶面,旋涂工艺参数为低速转速为500r/min,时间为5s,高速转速为2000r/min,时间为20s;
所述步骤24)中,干燥温度为60-100℃下干燥30min。
7.根据权利要求5所述的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,所述步骤21)中,环氧树脂与固化剂的体积比为1:1,室温固化2-3小时;
所述步骤23)中,取适量滴于复合材料上,将液滴铺展开使环氧树脂覆盖复合材料的顶面,将复合材料垂直悬挂10min。
8.根据权利要求5-7任一所述的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,所述步骤22)中,气泡通过离心或真空去除。
9.根据权利要求8所述的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法,其特征在于,所述离心处理的参数为:离心机半径为40cm,离心速度为4800r/min,离心时间为20min;
所述真空处理的参数为:真空度为-0.1,保压时间为1h。
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