[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

第一氮化物半导体层；

第二氮化物半导体层，其形成于所述第一氮化物半导体层上；

第三氮化物半导体层，其形成于所述第二氮化物半导体层上；

台面型的第四氮化物半导体层，其形成于所述第三氮化物半导体层上；

源电极，其在所述第三氮化物半导体层上且形成于所述第四氮化物半导体层的一侧；

漏电极，其在所述第三氮化物半导体层上且形成于所述第四氮化物半导体层的另一侧；

栅极绝缘膜，其覆盖所述第四氮化物半导体层；以及

栅电极，其形成于所述栅极绝缘膜上，

所述第二氮化物半导体层的电子亲和力为所述第一氮化物半导体层的电子亲和力以上，

所述第三氮化物半导体层的电子亲和力小于所述第一氮化物半导体层的电子亲和力，

所述第四氮化物半导体层的电子亲和力为所述第二氮化物半导体层的电子亲和力以上，

所述第四氮化物半导体层与所述栅电极通过所述栅极绝缘膜而分离，

所述第四氮化物半导体层在所述漏电极侧的端部，其膜厚逐渐减少，

所述台面型的所述第四氮化物半导体层在所述漏电极侧的端部处具有第一膜厚部和第二膜厚部，且所述第四氮化物半导体层的所述漏电极侧的侧面形成为阶梯状，

所述第二膜厚部与所述第一膜厚部相比配置于外侧，

所述第二膜厚部的膜厚小于所述第一膜厚部的膜厚。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第四氮化物半导体层在所述源电极侧的端部，其膜厚逐渐减少。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述台面型的所述第四氮化物半导体层具有上表面、所述漏电极侧的侧面以及所述源电极侧的侧面。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述源电极侧的侧面呈锥形状，

所述第三氮化物半导体层与所述源电极侧的侧面所成的角为120度以上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述漏电极侧的侧面的从上表面观察到的栅极长度方向上的长度大于所述源电极侧的侧面的从上表面观察到的栅极长度方向上的长度。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

具有：

第一绝缘膜，其在所述第三氮化物半导体层上且形成于所述第四氮化物半导体层的所述漏电极侧；以及

第二绝缘膜，其在所述第三氮化物半导体层上且形成于所述第四氮化物半导体层的所述源电极侧。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

所述栅极绝缘膜从所述第一绝缘膜上延伸至所述第二绝缘膜上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一绝缘膜的与所述栅极绝缘膜重叠一侧的侧面呈锥形状。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二绝缘膜的与所述栅极绝缘膜重叠一侧的侧面呈锥形状。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述台面型的所述第四氮化物半导体层在所述源电极侧的端部处具有第三膜厚部和第四膜厚部，

所述第四膜厚部与所述第三膜厚部相比配置于外侧，

所述第四膜厚部的膜厚小于所述第三膜厚部的膜厚。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二膜厚部的栅极长度方向上的长度大于所述第四膜厚部的栅极长度方向上的长度。