[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710148354.4 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN107302007B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 李俊雨;姜信文;金炳箕;金熙京;孙泫撤;郑胤谟;崔宰凡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置。所述显示装置包括包含柔性区域和低柔性区域的显示面板,其中,柔性区域可以包括包含第一半导体层和第一栅电极的第一晶体管,第一半导体连接到第一半导体层,第一层间绝缘层位于第一晶体管与第一导体之间。低柔性区域可以包括包含第二半导体层和第二栅电极的第二晶体管,第二导体连接到第二半导体层,第二层间绝缘层位于第二晶体管与第二导体之间。第一层间绝缘层可以包括有机绝缘材料,第二层间绝缘层包括无机绝缘材料,第一晶体管的沟道宽度与沟道长度的比可以不同于第二晶体管的沟道宽度与沟道长度的比。
本申请要求于2016年3月14日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0030279号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的所有内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的示例实施例的一个或更多个方面涉及一种显示装置。例如,本公开的实施例的各方面涉及一种包括显示面板的显示装置,该显示面板的一部分可以折叠。
背景技术
显示装置(诸如液晶显示器(LCD)和/或有机发光二极管(OLED)显示器)包括包含显示图像的多个像素的显示面板。每个像素包括可被提供有数据信号的像素电极,并且像素电极可以连接到传输数据信号的至少一个晶体管。
晶体管包括控制(例如,栅)电极、输入(例如,源)电极、输出(例如,漏)电极以及连接到输入电极和输出电极的半导体层。晶体管可以连接到将被提供有信号的多条信号线。多条信号线可以包括用于接收栅极信号的栅极线和用于接收数据电压的数据线。
代替重且具有单一固定状态(例如,形状)的基底,最近已经开发了包括质轻且具有可改变(例如,经由弯折)的形状的柔性基底的显示装置。柔性基底可以包括诸如聚酰亚胺的塑料材料。
包括柔性基底并具有至少一部分是可弯折或可折叠的柔性区域的显示装置可以被称作柔性显示装置。显示面板的部分可弯折的显示装置可以被称作可弯折的显示装置。
提供该背景技术部分中公开的上述信息,仅用来增强对本公开的背景的理解,因此该上述信息可包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或更多个示例实施例涉及在减小柔性显示装置的柔性区域的曲率半径的同时防止或减少在柔性显示装置的柔性区域中产生缺陷(诸如裂纹),并同时提高显示装置的制造工艺的良率。另外,当根据本公开的实施例的柔性显示装置包括柔性区域以及比柔性区域的柔性低的低柔性区域时,柔性显示装置可以具有相对更大的曲率半径和/或可以基本上不变形,并且可以减小柔性区域与低柔性区域之间的边界附近的图像亮度的变化。
本公开的一个或更多个示例实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板,包括柔性区域和具有比柔性区域的柔性低的柔性的低柔性区域,其中,柔性区域包括第一晶体管,第一晶体管包括第一半导体层和第一栅电极;第一导体,连接到第一半导体层;第一层间绝缘层,位于第一晶体管与第一导体之间。低柔性区域可以包括第二晶体管,第二晶体管包括第二半导体层和第二栅电极,第二导体连接到第二半导体层,并且第二层间绝缘层设置在第二晶体管与第二导体之间。第一层间绝缘层可以包括有机绝缘材料,第二层间绝缘层可以包括无机绝缘材料,第一晶体管的沟道宽度与沟道长度的比可以不同于第二晶体管的沟道宽度与沟道长度的比。
在一些实施例中,第一晶体管的沟道宽度与沟道长度的比可以大于第二晶体管的沟道宽度与沟道长度的比或比第二晶体管的沟道宽度与沟道长度的比大。
第一层间绝缘层的侧表面可以在柔性区域与低柔性区域之间的边界处接触第二层间绝缘层的侧表面。
第一层间绝缘层可以仅位于第一栅电极与第一导体之间,第二层间绝缘层可以仅位于第二栅电极与第二导体之间。
第一晶体管可以包括位于第一栅电极与第一半导体层之间的第一栅极绝缘层,第二晶体管可以包括位于第二栅电极与第二半导体层之间的第二栅极绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的