[发明专利]钽酸锂单晶基板的制造方法有效
| 申请号： | 201710149157.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107201544B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 阿部淳 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;侯剑英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钽酸锂单晶基板 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钽酸锂单晶基板的制造方法，是体积电阻率为1×1010Ω·cm以上并小于1×1012Ω·cm的钽酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，
将体积电阻率为1×1012Ω·cm以上且为单畴结构的钽酸锂单晶基板埋入碳酸锂粉末中，并且在常压下、惰性气体和还原性气体的混合气体氛围中，以350℃以上且居里温度以下的温度进行热处理。
2.根据权利要求1所述的钽酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，
上述混合气体中的还原性气体的浓度为20.0％以下。
3.根据权利要求1或2所述的钽酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，
上述还原性气体为氢气。
4.根据权利要求1或2所述的钽酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，
上述还原性气体为一氧化碳气体。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的钽酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，
上述热处理在其开始时在惰性气体和还原性气体的混合气体氛围中进行，然后在惰性气体的单一气体氛围中进行。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的钽酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，
上述碳酸锂粉末的最大粒径为500μm以下。
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