[发明专利]一种电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法在审
申请号: | 201710149741.X | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN106866133A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 何金良;胡军;孟鹏飞;杨霄;谢清云 | 申请(专利权)人: | 清华大学;西安西电避雷器有限责任公司 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;C04B35/626;C04B35/64 |
代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司50219 | 代理人: | 刘立春 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 梯度 绝缘材料 填充 非线性 系数 zno 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,包括浆料制备步骤、造粒步骤、结烧步骤,所述浆料制备步骤、造粒步骤、结烧步骤依次进行,
所述浆料制备步骤包括球磨步骤、ZnO分散步骤、离子添加步骤、添加剂混合步骤。
2.根据权利要求1中所述的电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,所述浆料制备步骤的配方包括:ZnO、Bi2O3、MnO2、Sb2O3、Co2O3、SiO2、Al(NO)3·9H2O、Cr2O3、In2O3;
配方中各成分的摩尔质量百分份数为ZnO:86.5-90.1份、Bi2O3:1.4-2份、MnO2:1.3-2份、Sb2O3:1.4-2份、Co2O3:1.2-2份、SiO2:1.3-2份、Al(NO)3·9H2O:0.1-0.3份、Cr2O3:1.4-2份、In2O3:0.3-1.2份。
3.根据权利要求1中所述的电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,所述球磨步骤中,
将1.4-2份的Bi2O3、1.3-2份的MnO2、1.4-2份的Sb2O3、1.2-2份的Co2O3、1.3-2份的SiO2、1.4-2份的Cr2O3放入高搅球磨罐中,然后加入去离子水,球磨8h。
4.根据权利要求1中所述的电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,所述ZnO分散步骤中,
将86.5-90.1份的ZnO,加入高搅球磨罐中,添加PVA,分散剂和去离子水,将浆料混合球磨至分散均匀,
所述ZnO、PVA、分散剂和去离子水的添加方式为分批次分配,加入所述PVA,分散剂和去离子水的量与浆料粘稠度呈正相关,直至添加所有的ZnO。
5.根据权利要求1中所述的电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,所述离子添加步骤中,
加入离子为铟离子、铝离子,其方法为:
在浆料中添加0.1-0.3份的Al(NO)3·9H2O、0.3-1.2份的In2O3,继续球磨1h。
6.根据权利要求1中所述的电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,添加剂混合步骤中,
在搅拌罐中加入加入铟离子、铝离子的浆料,继续搅拌直到混合分散均匀;
搅拌后浆料中Bi2O3含量与理论偏差应小于0.3-0.4%;
搅拌好的浆料经200目过筛后,注入储料罐中,等待造粒。
7.根据权利要求1中所述的电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,所述造粒步骤中,采用离心式顺流型喷雾造粒机进行造粒,喷雾造粒的粒径控制为120μm。
8.根据权利要求1中所述的电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,所述结烧步骤中,将造粒后的颗粒平铺于匣钵中,平铺厚度为2-3cm。
9.根据权利要求1中所述的电压梯度场绝缘材料填充的高非线性系数ZnO压敏陶瓷微球制备方法,其特征在于,所述结烧步骤中,用高温电炉的封闭气氛中烧结坯体:
从室温至400℃,升温时间2h;
在400℃保温排胶5h;
从400℃至1000℃,升温时间5h;
从1000℃至1200℃,升温时间3h;
在1200℃保温3h。
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