[发明专利]直接空穴注入层的白光有机发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201710150281.2 | 申请日: | 2017-03-14 |
公开(公告)号: | CN106887526A | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 钟建;朱云柯;雷疏影;林宇;陈辉;邵双双 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 晏辉,赵宇 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直接 空穴 注入 白光 有机 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种直接空穴注入层的白光有机发光器件,依次包括衬底、阳极、空穴注入层、发光层、电子注入层和阴极,其特征在于:空穴注入层由CBP︰(t-bt)2I-r(acac)掺杂组成。
2.根据权利要求1所述的一种直接空穴注入层的白光有机发光器件,其特征在于,发光层由黄色发光层和蓝色发光层构成,其中,黄色发光层由CBP︰(t-bt)2Ir(acac)掺杂组成,蓝色发光层由CBP︰FIrpic掺杂组成。
3.根据权利要求2所述的一种直接空穴注入层的白光有机发光器件,其特征在于,空穴注入层中(t-bt)2I-r(acac)的掺杂重量比例为50%。
4.根据权利要求3所述的一种直接空穴注入层的白光有机发光器件,其特征在于,黄色发光层中(t-bt)2Ir(acac)的掺杂重量比例为10%,蓝色发光层中Firpic的掺杂重量比例为8%。
5.根据权利要求4项所述的一种直接空穴注入层的白光有机发光器件,其特征在于,电子注入层为TPBi,阴极由Mg和Ag构成。
6.根据权利要求5所述的一种直接空穴注入层的白光有机发光器件,其特征在于,空穴注入层的厚度为30nm,黄色发光层的厚度为15nm,蓝色发光层的厚度为25nm,电子注入层的厚度为40nm。
7.一种直接空穴注入层的白光有机发光器件的制备方法,其特征在于,步骤如下:
(1)清洗ITO玻璃衬底;
(2)制备空穴注入层:将步骤(1)处理后的ITO玻璃衬底放入真空腔里,以CBP︰(t-bt)2I-r(acac)的主客体掺杂作为空穴注入层材料进行混合蒸镀,掺杂比例为50%;
(3)制备黄色发光层:将步骤(2)处理后的ITO玻璃衬底放入有机真空腔体里,以CBP︰(t-bt)2I-r(acac)的主客体掺杂作为发光层材料进行混合蒸镀,掺杂比例为10%;
(4)制备蓝色发光层:将步骤(3)处理后的ITO玻璃衬底放入有机真空腔体里,以CBP︰FIrpic的主客体掺杂作为发光层材料进行混合蒸镀,掺杂比例为8%;
(5)制备电子注入层:将步骤(4)处理后的ITO玻璃衬底放入有机真空腔体里,以TPBi材料作为电子传输层进行蒸镀;
(6)制备金属阴极。
8.根据权利要求7所述的一种直接空穴注入层的白光有机发光器件的制备方法,其特征在于,步骤如下:
(1)清洗ITO玻璃衬底;
(2)制备空穴注入层:将步骤(1)处理后的ITO玻璃衬底放入真空腔里,以CBP︰(t-bt)2I-r(acac)的主客体掺杂作为空穴注入层材料进行混合蒸镀,掺杂比例为50%,待蒸镀室气压低于3×10-4Pa,以的蒸镀速率,待厚度达到30nm之后,结束蒸镀;
(3)制备黄色发光层:将步骤(2)处理后的ITO玻璃衬底放入有机真空腔体里,以CBP︰(t-bt)2I-r(acac)的主客体掺杂作为发光层材料进行混合蒸镀,掺杂比例为10%,待蒸镀室气压低于3×10-4Pa,以的蒸镀速率,待厚度达到15nm,结束蒸镀;
(4)制备蓝色发光层:将步骤(3)处理后的ITO玻璃衬底放入有机真空腔体里,以CBP︰FIrpic的主客体掺杂作为发光层材料进行混合蒸镀,掺杂比例为8%,待蒸镀室气压低于3×10-4Pa,以的蒸镀速率,待厚度达到25nm,结束蒸镀;
(5)制备电子注入层:将步骤(4)处理后的ITO玻璃衬底放入有机真空腔体里,以TPBi材料作为电子传输层,待蒸镀室气压低于3×10-4Pa,以的蒸镀速率,待厚度达到40nm结束蒸镀。
(6)制备金属阴极:将步骤(5)处理后的ITO玻璃衬底放入金属真空沉积腔,以Mg和Ag做为金属阴极,待蒸镀室气压低于1.8×10-3Pa,以的蒸镀速率得到厚度为200nm的金属薄膜。
9.根据权利要求8所述的一种直接空穴注入层的白光有机发光器件的制备方法,其特征在于,步骤(1)清洗ITO玻璃衬底的方法为:(a)设置好超声仪参数:温度30℃,时间15min,功率70w;(b)用无尘布沾上丙酮擦拭ITO玻璃衬底表面,直到肉眼观察到无颗粒杂质为止;(c)将擦洗干净的ITO玻璃衬底放置在聚四氟乙烯基片架上,再放入装洗涤剂的去离子水的烧杯中进行第一步超声清洗;(d)取出基片架,用丙酮冲洗后再放入装有丙酮的烧杯中进行第二步清洗;(e)用去离子水对ITO玻璃衬底进行第三步超声清洗,(f)取出基片架,用异丙醇冲洗后放入装有异丙醇的烧杯进行第四步清洗,(g)放入烘烤箱里20分钟,(h)将烘干的ITO玻璃衬底取出,放入玻璃皿中,再放入UV装置中进行UV照射15分钟。
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