[发明专利]导电性膜及导电性膜卷在审
申请号: | 201710150655.0 | 申请日: | 2013-01-04 |
公开(公告)号: | CN106653161A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 藤野望;鹰尾宽行;石桥邦昭 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/044;H01B13/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 | ||
本申请是申请号为201310000667.7、申请日为2013年1月4日、发明名称为“导电性膜及导电性膜卷”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及适用于能够通过手指或触控笔(stylus pen)等的接触而输入信息的输入显示装置等的导电性膜及导电性膜卷。
背景技术
目前,已知一种导电性膜,该导电性膜具备形成在膜基材的两面的透明导电体层和形成在各透明导电体层的表面的金属层(专利文献1)。将这样的导电性膜用于例如接触式传感器时,对金属层进行加工,在接触输入区域的外缘部形成引导布线,从而能够实现窄边框化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-060146号公报
发明内容
但是,上述现有的导电性膜存在将该膜卷成卷状时邻接的膜彼此压接的问题。如果将压接的膜彼此剥离,则有时损伤膜内的透明导电体层,可能导致品质降低。
本发明的目的在于提供将导电性膜卷成卷状时邻接的膜不压接而能够维持高品质的导电性膜及导电性膜卷。
为了实现上述目的,本发明的导电性膜具备:膜基材,形成在上述膜基材的一侧的第1透明导电体层,形成在上述第1透明导电体层的与上述膜基材相反侧的第1铜层,形成在上述膜基材的另一侧的第2透明导电体层,形成在上述第2透明导电体层的与上述膜基材相反侧的第2铜层,形成在上述第1铜层的与上述第1透明导电体层相反侧、含有氧化亚铜的厚度为1nm~15nm的第1氧化被膜层。
优选上述第1氧化被膜层的厚度为1.0nm~8.0nm。
另外,优选上述第1氧化被膜层由含有50重量%以上的氧化亚铜、并且含有铜、氧化铜、碳酸铜及氢氧化铜的组合物构成。更优选上述第1氧化被膜层实质上仅由氧化亚铜构成。
上述导电性膜优选还具有形成于上述第2铜层、含有氧化亚铜的厚度为1nm~15nm的第2氧化被膜层。
另外,为了实现上述目的,本发明的导电性膜卷的特征在于,将上述导电性膜卷成卷状而构成。
根据本发明,第1氧化被膜层形成在第1铜层的与第1透明导电体层相反侧。从而,将本导电性膜卷成卷状时,因为第1铜层和第2铜层之间存在第1氧化被膜层,所以能够抑制第1铜层和第2铜层的金属键合。另外,因为使含有氧化亚铜的第1氧化被膜层的厚度为1nm~15nm,从而邻接的膜彼此不压接,所以不会损伤第1透明导电体层,能够维持高品质。
另外,因为第1氧化被膜层的厚度为1.0nm~8.0nm,所以能够确实地防止邻接的膜彼此的压接。
进而,因为第1氧化被膜层由含有50重量%以上的氧化亚铜、并且含有铜、氧化铜、碳酸铜及氢氧化铜的组合物构成,所以能够确实地防止邻接的膜彼此压接。
附图说明
图1是概略地表示将本发明实施方式的导电性膜卷成的导电性膜卷的构成的侧视图。
图2是表示图1的导电性膜的变形例的部分放大图。
图3是表示图1的导电性膜卷的变形例的侧视图。
符号说明
1导电性膜
2膜基材
3透明导电体层
4铜层
5透明导电体层
6铜层
7氧化被膜层
8,8’ 导电性膜卷
9,9’ 巻芯
10,20导电性膜
11 氧化被膜层
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的实施方式。
图1是概略地表示将本实施方式的导电性膜卷成的导电性膜卷的构成的侧视图。应予说明,图1中的各层的厚度表示它的一例,本发明的导电性膜中的各层的厚度不限定于图1的厚度。
如图1所示,本发明的导电性膜1具备膜基材2,形成在该膜基材的一侧的透明导电体层(第1透明导电体层)3,形成在透明导电体层3的与膜基材2相反侧的铜层(第1铜层)4,形成在膜基材2的另一侧的透明导电体层(第2透明导电体层)5,形成在透明导电体层5的与膜基材2相反侧的铜层(第2铜层)6,形成在铜层4的与透明导电体层3相反侧、含有氧化亚铜的厚度为1nm~15nm的氧化被膜层(第1氧化被膜层)7。
导电性膜卷8通过将长条状的导电性膜1卷成卷状而构成。导电性膜1的长度代表性的为100m以上,优选为500m~5000m。在导电性膜卷8的中心部,通常配置用于缠绕导电性膜1的塑料制或金属制的巻芯9。
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