[发明专利]去除或减少有毒物质的方法以及检测有毒物质的方法有效

专利信息
申请号: 201710151636.X 申请日: 2017-03-15
公开(公告)号: CN108627380B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 孟庆斌;李春举;李斌;陈俊屹;孟昭;康子瑶 申请(专利权)人: 中国人民解放军军事医学科学院毒物药物研究所;上海大学
主分类号: G01N1/34 分类号: G01N1/34;G01N5/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘海罗
地址: 100850*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 去除 减少 有毒 物质 方法 以及 检测
【权利要求书】:

1.一种去除或减少环境或样品中有毒物质的方法,所述有毒物质为选自芥子气、双(2-氯乙基)醚、氯乙基乙基硫醚和氯乙基乙基醚中的一种或多种;

所述方法包括如下步骤:

将式Ⅰ所示的化合物与环境或样品中的有毒物质以(1-10):1的摩尔比相接触;

其中,R为C1-12烷氧基。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,式Ⅰ所示的化合物与环境或样品中的有毒物质的摩尔比为(1-6):1。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,式Ⅰ所示的化合物与环境或样品中的有毒物质的摩尔比为1:1。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述样品为液态样品或气态样品。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,R为C1-6烷氧基。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,R为甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,R为甲氧基、乙氧基或丁氧基。

8.一种石英晶体微天平传感器,包括石英晶体微天平和负载于石英晶体微天平的电极表面的薄膜;其中,所述薄膜包含式Ⅰ所示的化合物;

其中,R为C1-12烷氧基。

9.根据权利要求8所述的石英晶体微天平传感器,其中,所述薄膜的厚度为0.1-2μm。

10.根据权利要求8所述的石英晶体微天平传感器,其中,所述薄膜的厚度为0.2-1μm。

11.根据权利要求8所述的石英晶体微天平传感器,其中,所述薄膜的厚度为0.5μm。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的石英晶体微天平传感器,其中,R为C1-6烷氧基。

13.根据权利要求8至11中任一项所述的石英晶体微天平传感器,其中,R为甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。

14.根据权利要求8至11中任一项所述的石英晶体微天平传感器,其中,R为甲氧基、乙氧基或丁氧基。

15.一种制备权利要求8至14中任一项所述石英晶体微天平传感器的方法,包括如下步骤:

(1)将式Ⅰ所示的化合物与溶剂混合,得到悬浮液;

(2)将悬浮液涂覆于石英晶体微天平的电极表面,干燥,得到石英晶体微天平传感器;

其中,R为C1-12烷氧基。

16.根据权利要求15所述的方法,其中,步骤(1)中,所述溶剂选自水、丙酮和乙醇中的一种或多种。

17.根据权利要求15所述的方法,其中,步骤(2)中,所述涂覆为滴涂或旋涂。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的方法,其中,步骤(1)中,所述混合在超声条件下进行。

19.根据权利要求15至17中任一项所述的方法,其中,步骤(2)中,所述干燥在真空条件下进行。

20.根据权利要求15至17中任一项所述的方法,其中,步骤(2)中,干燥温度为33-69℃。

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