[发明专利]薄膜应变式扭矩传感器在审
申请号: | 201710151983.2 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN106768538A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 雷卫武;曾朋辉 | 申请(专利权)人: | 北京中航兴盛测控技术有限公司 |
主分类号: | G01L3/22 | 分类号: | G01L3/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102101 北京市延庆区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 应变 扭矩 传感器 | ||
1.一种薄膜应变式扭矩传感器,包括转接上法兰(1),转接下法兰(2),固接在所述转接上法兰(1)与转接下法兰(2)之间的扭柱(3)组成,其特征在于:所述扭柱(3)是左右侧面分别加工有弧形凹槽(31)、上下部分别加工有三角孔(32)、一侧平面上采用溅射薄膜技术制造有包含四个应变敏感电阻(42)的四个薄膜敏感元件(4)的金属柱;将所述四个应变敏感电阻(42)组成惠斯通电桥电路,当所述转接上法兰(1)与转接下法兰(2)扭动时,所述扭柱(3)受到扭力作用并传递到所述应变敏感电阻(42),所述应变敏感电阻(42)阻值发生变化,惠斯通电桥电路失出平衡,通过测量所述惠斯通电桥电路的输出信号可得到相应的扭矩值大小。
2.如权利要求1所述的薄膜应变式扭矩传感器,其特征在于:所述薄膜敏感元件(4)由绝缘层(41)、应变敏感电阻(42)、焊盘(43)、保护层(44)组成。
3.如权利要求1、2所述的薄膜应变式扭矩传感器,其特征在于:所述应变敏感电阻(42)由镍(Ni)、铬(Cr)、锰(Mn)、钼(Mo)四种元素组成,原子百分比是42%≤Ni≤47%,40%≤Cr≤47%,8.6%≤Mn≤11%,2.9%≤Mo≤4.9%。
4.如权利要求1、2所述的薄膜应变式扭矩传感器,其特征在于:所述扭柱(3)的上部左右二个薄膜敏感元件(4)的图形是镜像对称分布的,上部二个薄膜敏感元件(4)与下部二个薄膜敏感元件(4)的图形是镜像对称分布的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中航兴盛测控技术有限公司,未经北京中航兴盛测控技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710151983.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。