[发明专利]发光元件

说明书

提供一种确保可靠性且具有较高的光取出效率的发光元件。发光元件具有：半导体层积体、设置在半导体层积体的上表面的一部分的上部电极、设置在半导体层积体的下表面中从上部电极的正下方区域离开的区域的具有光反射性的下部电极、在上部电极的表面和半导体层积体的上表面连续设置的保护膜，在下部电极的正上方区域设置的保护膜的厚度比在上部电极的表面和设有上部电极的区域的附近区域的半导体层积体的上表面连续设置的保护膜的厚度薄。

技术领域

本发明涉及发光元件。

背景技术

在专利文献1中记载有如下的发光元件，在半导体层积体的上表面侧形成有接合电极，在半导体层积体的下表面侧形成有金属电极，在半导体层积体的表面形成有保护膜。

专利文献1：（日本）特开2014－236070号

在上述的发光元件中，由于在半导体层积体的上表面形成有具有均一厚度的保护膜，故而在保护膜的厚度薄的情况下，会有半导体层积体劣化的可能性。另外，虽然将保护膜的厚度增厚的话能够抑制半导体层积体的劣化，但另一方面，来自半导体层积体的光容易被保护膜吸收，故而光取出效率降低。因此，本发明的目的在于提供抑制了半导体层积体的劣化的具有较高的光取出效率的发光元件。

发明内容

本发明一方面的发光元件具有：半导体层积体；上部电极，其设置在所述半导体层积体的上表面的一部分；下部电极，其具有光反射性，设置在所述半导体层积体的下表面中从所述上部电极的正下方区域离开的区域；保护膜，其在所述上部电极的表面、和所述半导体层积体的上表面连续设置，在所述下部电极的正上方区域设置的所述保护膜的厚度比在所述上部电极的表面、和设有所述上部电极的区域的附近区域的所述半导体层积体的上表面连续设置的所述保护膜的厚度薄。

通过形成为以上的构成，能够形成为抑制了半导体层积体的劣化的光取出效率高的发光元件。

附图说明

图1是示意地表示实施方式1的发光元件的构成的俯视图；

图2是示意地表示实施方式1的发光元件的构成的部分剖面图，表示图1的A－A线的截面；

图3是示意地表示实施方式1的发光元件的构成的俯视图；

图4是示意地表示实施方式2的发光元件的构成的部分剖面图，表示图1的A－A线的截面。

附图标记说明

10：半导体层积体

10n：n侧半导体层

10a：活性层

10p：p侧半导体层

11：上部电极

11a：外部连接部

11b：延伸部

111：第一上部电极

112：第二上部电极

12：下部电极

13：保护膜

14：绝缘部件

15：接合部件

16：基板

100、200：发光元件

具体实施方式

＜实施方式1＞