[发明专利]一种基于忆阻器的异或门电路及设计制作方法有效

专利信息
申请号: 201710152828.2 申请日: 2017-03-15
公开(公告)号: CN106941350B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 裴文江;张一丹;王开;夏亦犁 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03K19/21 分类号: H03K19/21;G06F30/30
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 蒋昱
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 忆阻器 门电路 设计 制作方法
【权利要求书】:

1.一种基于忆阻器的异或门电路,所述忆阻器的异或门电路选用4个阈值自适应忆阻器搭建,其特征在于:所述4个阈值自适应忆阻器中两个忆阻器Rin1,Rin2作为输入忆阻器,一个忆阻器作为输出忆阻器Rout,一个忆阻器作为辅助忆阻器Raid,作为输入忆阻器的两个忆阻器Rin1,Rin2串联后再与输出忆阻器Rout串联,所述输出忆阻器Rout两端并联1个辅助忆阻器Raid,所述两个忆阻器Rin1,Rin2的阻值为逻辑门的输入值,所述输出忆阻器Rout的阻值为逻辑门的输出值;

设Rout的高电阻阻值为Roff,低电阻阻值为Ron,且有Roff>>Ron,Raid的高电阻阻值为10Roff,低电阻阻值为0.01Ron,ion_in为输入忆阻器的阈值电流,所述ion_aid为辅助忆阻器Raid的阈值电流,所述ion_out为输出忆阻器Rout的阈值电流,

针对输出电阻Rout,在输入组合1中,iout<ion_out,在输入组合2、3中,iout>ion_out,则有:

针对辅助电阻Raid,在输入组合2、3中,iaid<ion_aid,在输入组合4中,iaid>ion_aid,则有:

针对输入电阻,在输入组合2、3中,当输出电阻降为低阻值时,iin<ion_in,则有:

综上,确定外加电压V0后,通过上述式子确定辅助忆阻器Raid的阈值电流ion_aid,以及输入忆阻器Rin的阈值电流ion_in,其中输入组合1、2、3和4分别为(0,0)、(0,1)、(1,0)和(1,1)。

2.一种基于忆阻器的异或门电路设计制作方法,设Rout的高电阻阻值为Roff,低电阻阻值为Ron,且有Roff>>Ron,Raid的高电阻阻值为10Roff,低电阻阻值为0.01Ron,ion_in为输入电阻的阈值电流,所述ion_aid为辅助忆阻器Raid的阈值电流,所述ion_out为输出忆阻器Rout的阈值电流;

针对输出电阻Rout,在输入组合1中,iout<ion_out,在输入组合2、3中,iout>ion_out,则有:

针对辅助电阻Raid,在输入组合2、3中,iaid<ion_aid,在输入组合4中,iaid>ion_aid,则有:

针对输入电阻,在输入组合2、3中,当输出电阻降为低阻值时,iin<ion_in,则有:

综上,确定外加电压V0后,通过上述式子确定辅助忆阻器Raid的阈值电流ion_aid,以及输入忆阻器Rin的阈值电流ion_in,其中输入组合1、2、3和4分别为(0,0)、(0,1)、(1,0)和(1,1),其特征在于:

包括以下步骤:

步骤1:选用4个阈值自适应忆阻器搭建电路;

步骤2:依照电路图,将两个忆阻器Rin1,Rin2作为输入忆阻器串联,再与输出忆阻器Rout串联,在Rout两端并联1个辅助忆阻器Raid

步骤201:在Rout两端并联1个辅助忆阻器Raid

步骤202:辅助忆阻器Raid具有阈值电流ion_aid,其取值范围是:

步骤203:输入忆阻器Rin1,Rin2具有阈值电流ion_in,其取值范围是:

步骤204:输出忆阻器Rout具有阈值电流ion_out,其取值范围是:

步骤3:逻辑门的输入值为Rin1,Rin2的阻值,逻辑门的输出值为Rout的阻值;

其中高阻值代表逻辑0,低阻值代表逻辑1;

给Rin1,Rin2写入逻辑门的输入值,给Rout,Raid写入高阻值逻辑0;

步骤4:给电路加上电压V0,经过逻辑操作,逻辑门的输出值存储在Rout中。

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