[发明专利]一种显示基板及显示装置有效
申请号: | 201710152992.3 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN106960862B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 李杰威;熊先江 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括衬底基板,依次形成在所述衬底基板上的阳极、有机发光层和阴极,其特征在于,
所述显示基板包括多个不同颜色的子像素,不同颜色的子像素的驱动电压不同;
所述显示基板还包括形成在所述有机发光层与所述阳极之间的功能图形,所述功能图形根据子像素的颜色划分类别,且每一类别的功能图形均设置在其对应颜色的子像素的区域内;
其中,所述多个不同颜色的子像素包括第一色子像素和第二色子像素,所述功能图形包括对应第一色子像素的第一功能图形和对应第二色子像素的第二功能图形,所述第一色子像素的驱动电压大于所述第二色子像素的驱动电压,所述第一功能图形在垂直于所述有机发光层的方向上的电阻值小于所述第二功能图形在垂直于所述有机发光层的方向上的电阻值;
所述功能图形为p-掺杂功能图形,所述第一功能图形的材料掺杂浓度大于所述第二功能图形的材料掺杂浓度,从而使得所述第一功能图形在垂直于所述有机发光层的方向上的电阻值小于所述第二功能图形在垂直于所述有机发光层的方向上的电阻值。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素;
其中,绿色子像素的驱动电压小于红色子像素的驱动电压,红色子像素的驱动电压小于蓝色子像素的驱动电压;
所述显示基板包括:
形成在所述有机发光层与所述阳极之间的p-掺杂空穴注入层;
所述功能图形为所述p-掺杂空穴注入层,包括:
对应红色子像素的第一p-掺杂空穴注入层、对应绿色子像素的第二p-掺杂空穴注入层以及对应蓝色子像素的第三p-掺杂空穴注入层;
所述第三p-掺杂空穴注入层的材料掺杂浓度大于第一p-掺杂空穴注入层的材料掺杂浓度,所述第一p-掺杂空穴注入层的材料掺杂浓度大于所述第二p-掺杂空穴注入层的材料掺杂浓度。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
p-掺杂空穴注入层的材料掺杂浓度小于或等于5wt%。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,
所述p-掺杂空穴注入层的形成材料包括:红荧烯化合物、喹啉铝化合物、酞箐铜化合物、NPB化合物、TCB化合物、TNATA化合物、TPD化合物、CBP化合物中的一者或任意几者的组合;
所述p-掺杂空穴注入层的掺杂材料包括:氰基有机化合物、C60及其衍生物、氧化钼、氧化钒、氧化锆中的一者或任意几者的组合。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述第一功能图形的厚度小于所述第二功能图形的厚度,从而使得所述第一功能图形在垂直于所述有机发光层的方向上的电阻值小于所述第二功能图形在垂直于所述有机发光层的方向上的电阻值。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,
所述子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素;
其中,绿色子像素的驱动电压小于红色子像素的驱动电压,红色子像素的驱动电压小于蓝色子像素的驱动电压;
所述显示基板包括:
设置在所述有机发光层与所述阳极之间的主空穴传输层,以及设置在所述主空穴传输层与所述阳极之间的辅空穴传输层;
所述功能图形为所述辅空穴传输层,包括:
对应红色子像素的第一辅空穴传输入层、对应绿色子像素的第二辅空穴传输层以及对应蓝色子像素的第三辅空穴传输层;
所述第三辅空穴传输层厚度小于所述第一辅空穴传输层的厚度,所述第一辅空穴传输层的厚度小于所述第二辅空穴传输层的厚度。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,
所述辅空穴传输层的厚度为小于或等于
8.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,还包括:
形成在所述辅空穴传输层与所述阳极之间的空穴注入层,所述辅空穴传输层的材料掺杂浓度低于所述主空穴传输层或所述空穴注入层的材料掺杂浓度。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-8任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的