[发明专利]发射辐射的有机构件在审
申请号: | 201710153497.4 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN107134534A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 托马斯·多贝廷;蒂洛·罗伊施;尼纳·里格尔;丹尼尔-斯特芬·塞茨;托马斯·韦卢斯 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,李建航 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 辐射 有机 构件 | ||
1.一种发射辐射的有机构件,所述发射辐射的有机构件具有:
-辐射能穿透的载体本体(1),所述载体本体在所述载体本体(1)的上侧上具有第一表面(1a);
-辐射能穿透的结构化的层(2),所述结构化的层设置在所述第一表面(1a)上并且至少局部地覆盖所述第一表面;
-辐射能穿透的第一电极(3),所述第一电极设置在所述结构化的层(2)的背离所述载体本体(1)的一侧上;
-层堆(10),所述层堆设置在所述第一电极(3)的背离所述结构化的层(2)的一侧上并且包括有机的有源区域(10a);和
-第二电极(6),其中
-所述有源区域(10a)能够经由所述第一电极(3)和所述第二电极(6)进行电接触,
-所述结构化的层(2)与辐射能穿透的所述载体本体(1)不同,并且
-所述结构化的层(2)包括下述结构(2a),所述结构设置为用于对在运行时在所述有源区域(10)中产生的电磁辐射折射,
-所述结构化的层(2)的所述结构(2a)设置在所述结构化的层(2)的背离所述载体本体的一侧上,并且
-所述结构化的层(2)的所述结构(2a)具有大于或等于在运行时在所述有源区域(10)中产生的电磁辐射的波长的结构大小。
2.根据权利要求1所述的发射辐射的有机构件,其中所述结构化的层(2)由玻璃形成,将所述玻璃熔融或熔化,以产生所述结构(2a)。
3.根据权利要求1或2所述的发射辐射的有机构件,
其中所述结构(2a)形成用于在运行时在所述有源区域(10)中产生的电磁辐射的光学透镜。
4.根据权利要求1或2所述的发射辐射的有机构件,
其中所述载体本体(1)和所述结构化的层(2)由玻璃形成。
5.根据权利要求1或2所述的发射辐射的有机构件,
所述发射辐射的有机构件具有中间层(4),所述中间层设置在所述结构化的层(2)和所述第一电极(3)之间,其中
-所述中间层(4)具有至少与所述层堆(10)的平均光学折射率一样大的光学折射率,并且
-所述中间层(4)具有大于所述承载本体(1)的光学折射率的光学折射率。
6.根据权利要求5所述的发射辐射的有机构件,
其中所述中间层(4)直接地邻接于所述结构化的层(2)并且所述中间层(4)直接地邻接于所述第一电极(3)或者构成所述第一电极。
7.根据权利要求5所述的发射辐射的有机构件,
其中所述中间层(4)的背离所述载体本体(1)的表面(4a)具有下述平均粗糙度,所述平均粗糙度小于所述结构化的层(2)的朝向所述中间层(4)的表面(2a)的平均粗糙度。
8.根据权利要求5所述的发射辐射的有机构件,
其中所述第一表面(1a)具有大于所述中间层(4)的背离所述载体本体(1)的表面(4a)的平均粗糙度。
9.根据权利要求5所述的发射辐射的有机构件,
其中所述颗粒(21)嵌入到所述中间层(4)的材料中。
10.根据权利要求9所述的发射辐射的有机构件,
其中辐射能穿透的所述载体本体(1)在所述第一表面(1a)上具有结构化部,其中
-所述颗粒(21)至少部分地直接邻接于所述第一表面(1a),并且
-所述结构化的层(2)包括一层或多层的所述颗粒(21)。
11.一种用于制造发射辐射的有机构件的方法,所述方法具有下述步骤:
-提供辐射能穿透的所述载体本体(1);
-将含玻璃的材料施加到所述载体本体(1)的所述第一表面(1a)上;
-熔化或熔融所述含玻璃的材料;
-将所述的背离所述载体本体(1)的表面结构化成所述结构化的层(2)。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述含玻璃的材料借助压模、辊子和/或滚筒来结构化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择