[发明专利]光刻装置及方法

说明书

本发明提供了一种光刻装置及方法，所述光刻装置包括至少两套曝光装置和一套基板装置，其中：所述基板装置包括一基板台和一基板，所述基板台承载所述基板；所述至少两套曝光装置沿曝光扫描方向对称分布在所述基板上方，同时在所述基板上形成两个曝光场，对所述曝光场内基板进行曝光。

技术领域

本发明涉及光刻机技术领域，特别涉及一种光刻装置及方法。

背景技术

投影扫描式光刻机的作用是把掩膜版上的图形清晰、正确地成像在涂有光刻胶的基板上，对于大尺寸基板而言，现有技术采用拼接镜头以提供适应大尺寸基板的大视场，但拼接镜头存在诸多设计风险以及高成本。而且，针对特殊工艺，如小面积的掩膜版工况下，需要采用小视场实现曝光，此种工况下并不适合继续采用提供大视场的拼接镜头。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻装置及方法，以适用于小视场、大基板的工况。

为解决上述技术问题，本发明提供一种光刻装置，包括至少两套曝光装置和一套基板装置，其中：

所述基板装置包括一基板台和一基板，所述基板台承载所述基板；

所述至少两套曝光装置沿曝光扫描方向对称分布在所述基板上方，同时在所述基板上形成两个曝光场，对所述曝光场内基板进行曝光。

进一步的，所述至少两套曝光装置中每套曝光装置包括照明装置、掩膜版、掩膜台、物镜、对准装置及垂向测量传感器，其中：

所述掩膜台承载所述掩膜版，所述照明装置位于所述掩膜版的上方，所述物镜位于所述掩膜台的下方，所述对准装置和所述垂向测量传感器位于所述基板上方，所述对准装置用于测量所述基板相对所述掩膜版的位置，所述垂向测量传感器用于测量所述基板的面形。

进一步的，所述对准装置包括基板对准装置和掩膜对准装置，所述基板对准装置用于测量所述基板的位置，所述掩膜对准装置用于测量所述掩膜版的位置。

进一步的，所述基板装置还包括基准板，所述每套曝光装置对应至少一块基准板，所述基准板上设有基准板标记，所述基板对准装置和所述掩膜对准装置测量所述基准板标记的位置以获得所述基板对准装置和所述掩膜对准装置相对所述基板台的位置。

进一步的，所述掩膜对准装置设置在所述基准板下方。

进一步的，所述每套曝光装置对应的所述基准板之间还设有测校基准板，所述测校基准板上设有测校标记，相邻的所述曝光装置中的基板对准装置和掩膜对准装置通过定期测量所述测校标记的位置，实现对所述基板对准装置、掩膜对准装置相对所述基板台的位置的校准。

进一步的，所述基板包括多个基板对准标记，所述基板对准装置测量所述基板对准标记的位置以获得所述基板的位置。

本发明还提供一种光刻方法，包括：

步骤1、将基板放置于基板台上，使至少两套曝光装置中每套曝光装置分别对应于所述基板的上方；

步骤2、测量所述基板的整体面形，得到所述基板的全局调平调整量，执行基板的全局调平；

步骤3、所述每套曝光装置的基板对准装置同时执行基板对准，根据所述基板与所述基板台之间的位置关系计算所述基板的上板误差；

步骤4、控制所述基板台和/或所述每套曝光装置的掩膜台运动补偿所述基板的上板误差；

步骤5、在曝光每个曝光场时，所述每套曝光装置的垂向测量传感器实时测量所述曝光场的局部面形，控制所述每套曝光装置的掩膜台根据所述基板上曝光场的局部面形运动，使曝光的最佳焦面与所述基板上曝光场重合。