[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型氮化镓层、有源层、电子阻挡层、P型氮化镓层；

其中，所述高温缓冲层包括(n+1)个氮化镓层和n个铝镓氮层，n为正整数，所述(n+1)个氮化镓层和所述n个铝镓氮层交替层叠设置，所述(n+1)个氮化镓层的生长温度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层升高，所述(n+1)个氮化镓层的生长速率沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层加快，所述n个铝镓氮层中铝组分含量沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层增加；相邻两个所述氮化镓层的生长温度的差值为5～50℃。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，n≤5。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，相邻两个所述氮化镓层的生长温度的差值为10～40℃。

4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述(n+1)个氮化镓层的厚度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层增加。

5.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述n个铝镓氮层的厚度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层增加。

6.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，各个所述铝镓氮层的厚度均小于或等于50nm。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，各个所述铝镓氮层的厚度均为20～50nm。

8.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述高温缓冲层的厚度小于或等于3μm。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述高温缓冲层的厚度为1～3μm。