[发明专利]半导体晶圆的清洗方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用酸性预清洗液对所述半导体晶圆进行预清洗；

采用碱性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗，其中，所述碱性清洗液包括氢氧化物、第三氧化剂和水，所述氢氧化物为氢氧化铵，所述第三氧化剂为双氧水或臭氧，在温度45℃至65℃的条件下清洗所述半导体晶圆，且碱性清洗液的温度随清洗时间的推移是逐渐上升的；

采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗。

2.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述酸性预清洗液的组成成分包括第一酸、第一氧化剂和水。

3.如权利要求2所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第一酸为盐酸、氢氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种，所述第一氧化剂为双氧水或臭氧。

4.如权利要求2所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第一酸为盐酸，所述第一氧化剂为双氧水，且盐酸、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:6～1:2:8。

5.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述酸性清洗液的组成成分包括第二酸、第二氧化剂和水。

6.如权利要求5所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第二酸为盐酸、氢氟酸、乙酸、硝酸和硫酸中的至少一种，所述第二氧化剂为双氧水或臭氧。

7.如权利要求5所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第二酸为盐酸，所述第二氧化剂为双氧水，且盐酸、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:6～1:2:8。

8.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述酸性清洗液与所述酸性预清洗液含有的组成成分相同，所述酸性清洗液与所述酸性预清洗液中组成成分的摩尔浓度配比不同。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述酸性清洗液的酸性强于所述酸性预清洗液。

10.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第三氧化剂为双氧水，且氢氧化铵、双氧水和水的摩尔浓度配比为1:1:5～1:2:7。

11.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述预清洗之后，且在所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清洗之前，采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。

12.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述采用碱性清洗液对半导体晶圆进行清洗之后，且在所述采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之前，采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。

13.如权利要求1所述的半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述采用酸性清洗液对所述半导体晶圆进行清洗之后，采用去离子水对所述半导体晶圆进行冲洗。