[发明专利]一种图像传感器的封盖工艺有效
申请号: | 201710155773.0 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN106876422B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 佘福良;王国建 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡知之火专利代理事务所(特殊普通合伙) 32318 | 代理人: | 袁粉兰 |
地址: | 214161 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 工艺 | ||
本发明公开了一种图像传感器的封盖工艺,属于图像传感器的封装领域,该图像传感器的封盖工艺,在点胶时,留有缝隙,从而使得光学玻璃盖板封盖在陶瓷/PCB外壳时,内部的空气能够通过缝隙缓慢排出,从而克服了采用现有技术中的方法容易导致少胶或者溢胶的问题发生,既增强了产品的可靠性,外观上又美观,品质大大提,同时,该封盖工艺操作简单,无需更换设备,无需额外增加成本。
技术领域
本发明涉及图像传感器的封装,尤其涉及一种图像传感器的封盖工艺。
背景技术
图像传感器又称为感光元件,是一种将光学图像转换成电子信号的设备,它被广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中,是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同,可分为CCD(Charge Coupled Device,电荷耦合元件)和CMOS(ComplementaryMetal-Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体元件)两大类。
现有的图像传感器封装工艺流程是:(1)将腔体陶瓷/PCB外壳装入载具;(2)将图像传感器芯片粘接在腔体内;(3)用金丝或铝丝等将芯片与陶瓷/PCB外壳键合互连起来;(4)使用超纯水和洁净高压空气对产品进行清洗;(5)用光学玻璃盖板封装盖合。
由此可见,图像传感器封装工艺中用光学玻璃盖板封装盖合图像传感器是极为重要的步骤,由于图像传感器为光学透光产品,对于其的可靠性和外观的要求均比一般的芯片要求更高。
然而,现有技术中,通常会在陶瓷/PCB外壳顶端先涂覆一圈胶,而后将光学玻璃盖板盖上,当涂覆的胶适量时,在光学玻璃盖板盖合后,由光学玻璃盖板和陶瓷/PCB外壳构成的腔体内部的空气会压迫胶水往外扩散,导致少胶,这样便会降低产品的可靠性;当涂覆的胶较多时,在光学玻璃盖板盖合后,会出现溢胶的现象,导致产品的外观较差,品质大大降低。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明提供一种图像传感器的封盖工艺,以克服采用现有技术中的方法容易导致少胶或者溢胶的问题发生,从而既增强了产品的可靠性,外观上又美观,品质大大提,同时,该封盖工艺操作简单,无需更换设备,无需额外增加成本。
为了实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种图像传感器的封盖工艺,其中,包括:
(1)点胶:在图像传感器的陶瓷/PCB外壳顶端涂覆UV胶,同时涂覆的所述UV胶为非闭合状态且留有缝隙;
(2)封盖:将光学玻璃盖板封盖在涂覆有非闭合UV胶的陶瓷/PCB外壳上;
(3)等待:静待30~45min,使UV胶在光学玻璃盖板的重力和自流的作用下闭合;
(4)检查:检查UV胶自流效果,当UV胶自流后仍然没有闭合,继续等待;当UV胶自流后闭合,进行下步操作;
(5)固化:采用UV光照射,当UV胶中的UV因子释放后,固化结束,所述图像传感器的封盖工艺完成。
上述的图像传感器的封盖工艺,其中,所述缝隙间隔为1~1.5mm。
上述的图像传感器的封盖工艺,其中,涂覆在所述陶瓷/PCB外壳顶端的所述UV胶的宽度为1~1.2mm。
上述的图像传感器的封盖工艺,其中,当所述UV胶的粘度为10000~20000mPa.s时,步骤(1)中的所述缝隙间隔为1.5mm,步骤(3)中的静待时间为30min。
上述的图像传感器的封盖工艺,其中,当所述UV胶的粘度为20000~100000mPa.s时,步骤(1)中的所述缝隙间隔为1.2mm,步骤(3)中的静待时间为40min。
上述的图像传感器的封盖工艺,其中,步骤(5)中的所述UV光的波长为360nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积高电子(无锡)有限公司,未经积高电子(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710155773.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的