[发明专利]相移掩模、制作光掩模的方法及制作掩模版的方法

说明书

本发明实施例公开了相移掩模、制作光掩模的方法及制作掩模版的方法。一种制作光掩模的方法包括：在透光性衬底之上沉积相移器；在所述透光性衬底之上沉积遮蔽层；以及移除所述遮蔽层的一部分及所述相移器的一部分以暴露出所述透光性衬底的一部分。所述相移器具有至少两个半导体层及至少两个介电层。

技术领域

本发明实施例涉及相移掩模、制作光掩模的方法及制作掩模版的方法。

背景技术

在半导体装置的制作中利用光刻(photolithography)来将图案转移至晶片上。基于各种集成电路(integrated circuit，IC)布局，图案从光掩模(photomask)转移至晶片的表面。所述光掩模(也可称作掩模版(reticle))由石英或玻璃制成，其中在一侧上沉积有一种或多种金属材料以防止透光。随着尺寸的减小及集成电路芯片中密度的增大，开发出了例如光学邻近效应校正(optical proximity correction，OPC)、离轴照明(off-axisillumination，OAI)、双重偶极光刻(double dipole lithography，DDL)及相移掩模(phase-shift mask，PSM)等分辨率增强技术，以改善焦点深度(depth of focus，DOF)且因此能使得图案更好地传递至晶片上。

发明内容

根据本发明的一些实施例，一种制作光掩模的方法包括：在透光性衬底之上沉积相移器；在所述透光性衬底之上沉积遮蔽层；以及移除所述遮蔽层的一部分及所述相移器的一部分以暴露出所述透光性衬底的一部分。所述相移器具有至少两个半导体层及至少两个介电层。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开内容的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A是根据一个或多个实施例的制作光掩模的方法的流程图。

图1B是根据一个或多个实施例的形成相移器的方法的流程图。

图2A至图2E是根据一个或多个实施例的处于生产的各种阶段的光掩模的剖视图。

图3是根据一个或多个实施例的光掩模的剖视图。

图4是根据一个或多个实施例的光掩模的剖视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件、值、操作、材料、排列等的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。预期存在其他组件、值、操作、材料、排列等。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。