[发明专利]参考电压源电路在审

专利信息
申请号: 201710156150.5 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN106909193A 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 邵博闻 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 参考 电压 电路
【权利要求书】:

1.一种参考电压源电路,其特征在于:包含:

第一~第四PMOS,第一~第三NMOS,以及第一及第二电阻。第一及第二PMOS的栅极相连,同时第二PMOS的栅极与漏极短接;第一及第二PMOS的源极相连后接电源;

第四PMOS的源极与第一PMOS的漏极相连,第四PMOS的漏极接第二电阻;

第一NMOS的栅极与第二NMOS的栅极相连,同时第一NMOS的栅极和漏极短接并接第二电阻的另一端,第一NMOS的源极接地;第二NMOS的漏极接第二PMOS的漏极;第二NMOS的源极通过第一电阻接地;

第三PMOS的栅、漏短接后接第四PMOS的栅极,第三PMOS的源极接电源,第四PMOS的漏极接第三NMOS的漏极,第三NMOS的源极接第二NMOS的源极;

第四PMOS的漏极输出参考电压。

2.如权利要求1所述的参考电压源电路,其特征在于:所述第三PMOS和第三NMOS构成偏置电路,向第四PMOS提供偏置电压。

3.如权利要求1所述的参考电压源电路,其特征在于:所述第四PMOS和第一PMOS构成级联结构,提高电流源的输出阻抗。

4.如权利要求1所述的参考电压源电路,其特征在于:所述第二NMOS的宽长比是第一NMOS的N倍,第一PMOS的宽长比是第二PMOS的M倍,第三PMOS和第四PMOS的宽长比相同,第三NMOS的的宽长比和第一NMOS的宽长比相同;所述M、N均≥1。

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