[发明专利]在非挥发性储存装置上提升数据耐久性的控制方法

说明书

本公开提供一种在非挥发性储存装置上提升数据耐久性的控制方法，此非挥发性储存装置包含一控制单元、一基板、一温度感测单元及至少一非挥发性储存单元，此控制方法包含下列步骤：供给一电力至非挥发性储存装置。写入数据至非挥发性储存单元。记录该数据被写入到此非挥发性储存单元的一数据储存时间。定期读取此温度感测单元的一测量温度。当数据储存时间长于一耐久时间门限值或是测量温度符合一耐久温度判断条件或非挥发内存使用次数(写入/抹除次数，P/E cycles)达一门限值时，在非挥发性储存单元上覆写该数据，并增加自动定期驱动机制的一数据覆写执行频率。本公开提供的控制方法可以提升数据耐久性。

技术领域

本公开涉及数据存储技术领域，具体而言，涉及一种可以在非挥发性储存装置上提升数据耐久性的控制方法。

背景技术

NAND Flash是SSD用来承载、储存数据的内存，SSD并可通过Controller(控制器)进行各种运算处理，而这些过程中的任何一个细节，都有可能影响到SSD的产品效能表现、可靠度、稳定度等等。

NAND Flash的任何特性都可能成为影响到SSD性能表现。像是不同芯片类型的NAND Flash，从SLC、MLC演进到TLC，每一储存单位存放的位越多，就越可能发生错误的状况，也越可能使P/E Cycle(写入/抹除次数)次数下降而影响可靠度。而NAND Flash在DataRetention(数据耐久性)上的能力，亦是SSD是否能取代传统硬盘的一大关键。

NAND Flash的储存方式是通过电荷储存于floating gate中，并通过不同的起始驱动电压来判断储存数据，而储存于floating gate上的电荷会时间的增加，逐渐流失，且流失的速度会因温度与P/E Cycle而不同，而只要对该Block进行覆写(Re-write)即可回复floating gate的电位。现行的做法，可分为被动检查与主动检查。

被动检查是在用户要求读取某逻辑区域的数据时，固件会去读取存在NAND Flash中，相对应的实体页数据，在读取的同时检查数据的Error Bit数量，当数据的Error Bit数量达到一门限值时，会对该Block的进行覆写。

主动检查是在储存装置闲置时对储存装置所有的实体区域进行读取同时检查数据的Error Bit数量，当数据的Error Bit数量达到一门限值时，会对该Block的进行覆写但由于这种需要花费大量时间，依储存装置容量大小，需数分钟到数十分钟，在几乎不闲置或空闲时间不到几分钟系统应用中并无法发挥功能。

因此目前大多以被动检查的方式为主，但这种方式只会对用户经常读取的数据区域做检查与覆写，无法检查到使用者长时间未读取的数据区域造成该区域数据的流失。

因此，如何改善上述数据耐久性的问题便成为了一个极为重要的问题。

发明内容

有鉴于上述现有技艺的问题，本发明的目的就是在提供一种在非挥发性储存装置上提升数据耐久性的控制方法，此非挥发性储存装置包含一控制单元、一基板、一温度感测单元及至少一非挥发性储存单元，其包含下列步骤。

供给电力至该非挥发性储存装置。

写入数据至该至少一非挥发性储存单元。

记录该数据被写入至该至少一非挥发性储存单元的数据储存时间。

定期读取该温度感测单元的测量温度。

当该数据储存时间长于耐久时间门限值或是该测量温度符合耐久温度判断条件时，在该至少一非挥发性储存单元上覆写该数据。

增加自动定期驱动机制的数据覆写执行频率。

优选地，本发明的控制方法还包含：读取该非挥发性储存装置的写入/抹除次数。当该写入/抹除次数高于耐久存取门限值时，在该至少一非挥发性储存单元上覆写该数据。