[发明专利]半导体气体感测装置的制作方法及其半导体气体感测装置

权利要求书

1.一种半导体气体感测装置的制作方法，其特征在于：该半导体气体感测装置的制作方法包含半成品准备步骤、气体感测槽形成步骤及感测膜形成步骤；该半成品准备步骤包括准备气体感测半成品，该气体感测半成品包括具有两反向的第一面与第二面的基板、形成于该基板的该第一面的反馈电路单元、及位于该第一面上的加热感测单元，该加热感测单元具有设置于该第一面的第一绝缘层、至少一设置于该第一绝缘层上的感测电极、覆盖该至少一感测电极的第二绝缘层、设置于该第二绝缘层而对应的位于该至少一感测电极上的微加热器、及覆盖该微加热器的第三绝缘层；该气体感测槽形成步骤包括对应该至少一感测电极地从该基板的该第二面蚀刻该基板至该第一绝缘层，而让该至少一感测电极露出，从而在该基板形成与该微加热器反向的气体感测槽；该感测膜形成步骤包括形成覆盖该至少一感测电极的感测膜，

其中，该半成品准备步骤还包括以下次步骤：

准备由半导体材料所构成的该基板；

于该基板的该第一面形成该第一绝缘层；

以离子扩散方式于该基板内形成多个邻近该第一面的主掺杂区；

于该第一绝缘层上形成多个由多晶硅所构成而对应位于该主掺杂区上的栅极层、及多个由多晶硅所构成而与所述栅极层相间隔的感测电极；

形成覆盖该第一绝缘层、所述栅极层、及所述感测电极的该第二绝缘层，并同时以离子扩散方式分别于所述主掺杂区内形成多个次掺杂区；

于该第二绝缘层上形成对应所述感测电极的该微加热器、及多个贯穿该第二绝缘层与该第一绝缘层而对应连接于所述次掺杂区的连接层；及

于该第二绝缘层上形成覆盖该微加热器而让所述连接层露出的该第三绝缘层，使部分的该第一绝缘层、所述感测电极、部分的该第二绝缘层、该微加热器、及部分的该第三绝缘层共同构成该加热感测单元，而该主掺杂区、该次掺杂区、部分的该第一绝缘层、该栅极层、部分的该第二绝缘层、所述连接层、及部分的该第三绝缘层共同构成该反馈电路单元。

2.如权利要求1所述的半导体气体感测装置的制作方法，其特征在于：该微加热器的构成材料选自氮化钽或钨。

3.如权利要求1所述的半导体气体感测装置的制作方法，其特征在于：该气体感测槽形成步骤包括使用深反应式离子蚀刻或感应耦合等离子蚀刻方式蚀刻该第一绝缘层。