[发明专利]一种VDMOS器件截止环结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种新型的VDMOS器件截止环结构，应用在集成电路或分立器件制造技术领域。

背景技术

VDMOS是垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管的简称，本发明所述的VDMOS是基于硅制造工艺。在芯片制造过程以及后期的芯片封装中，芯片表面的氧化物容易产生或者引入表面电荷（包括固定电荷及可动电荷），当其数量达到一定程度时，就有可能在硅表面感应出载流子，硅表面会发生积累、耗尽、反型三种情形之一。对于反型即会在有源区与划片槽之间形成表面导电沟道，严重影响器件的性能甚至造成芯片失效。而从实际的芯片制造经验看，硅表面的反型导致形成表面导电沟道的现象非常普遍、常见，表面导电沟道的存在不可忽视。截止环的设计就是截断有源区与划片槽之间形成的表面导电沟道，解决沟道漏电问题。传统的截止环的结构如图1所示，在有源区与划片槽之间的高阻区掺杂形成同型的高浓度低阻区，这样由于掺杂浓度较高，氧化物内的电荷数量不足以造成硅表面反型。VDMOS是同窗口掺杂P型、N型的杂质，利用结深差在表面形成MOS器件的沟道。这样，为了形成截止环结构的高浓度掺杂区，就必须增加一次光刻工艺，在掺杂Body掺杂区杂质时，需要用光刻胶对截止环的掺杂窗口进行掩蔽，这样在Source掺杂区掺杂时就形成了独立的高浓度掺杂区。如果不在掺杂Body掺杂区杂质时增加一次光刻用光刻胶对截止环掺杂窗口进行掩蔽，那在Source掺杂区外还包围着结深较深的Body掺杂区，且与Source区的杂质类型相异，该环形成了天然的反型通道，就不能起到沟道截止的作用（参见图2）。即对于VDMOS器件而言，为了形成一般的截止环结构，需要额外增加一次光刻工艺，造成芯片制造成本额外增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种新型的VDMOS截止环结构设计，在不额外增加光刻次数的前提下，达到与常规截止环结构相同的截断有源区与划片槽之间表面导电沟道的目的。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种VDMOS器件截止环结构，它包括作为衬底的高阻掺杂区；在所述的高阻掺杂区上形成有Field氧化层；在所述的Field氧化层上刻蚀形成AA窗口；在所述AA窗口区域内的高阻掺杂区上形成Gate氧化层，Gate氧化层只覆盖部分AA窗口区域内的高阻掺杂区；在所述的Gate氧化层上覆盖有GatePoly层，GatePoly层的左侧延伸到AA窗口左侧Field氧化层上，GatePoly层的右侧只覆盖AA窗口一部分；所述AA窗口未覆盖GatePoly层的区域形成与高阻掺杂区相反掺杂类型的Body掺杂区；在所述Body掺杂区上形成与其相反掺杂类型的Source掺杂区；在所述的Field氧化层及GatePoly层表面上覆盖有BPSG+USG层；在所述的GatePoly层及Source掺杂区上刻蚀氧化层形成Cont孔；在所述的Cont孔上覆盖Metal层，并且Metal层左侧延伸到Field氧化层上。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

本发明的截止环结构与标准的VDMOS晶胞工艺流程相同，不需要任何额外的工艺流程，避免了常规截止环结构需要增加一次光刻工艺才能实现的弊端，同时适用于大部分类型的MOS器件。

附图说明

图1为VDMOS增加一次光刻形成的常规截止环剖面结构图。

图2为VDMOS不增加一次光刻形成的“截止环”剖面结构图。

图3为本发明的新型截止环剖面结构图。

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。