[发明专利]一种负介电液晶组合物及其应用有效

专利信息
申请号: 201710157768.3 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN108624332B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 陈卯先;陈海光;王杰;未欣;伍嘉琦;田会强;姜天孟;苏学辉 申请(专利权)人: 北京八亿时空液晶科技股份有限公司
主分类号: C09K19/44 分类号: C09K19/44;C09K19/30;C09K19/12
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王文君
地址: 102502 北京市房山区燕山东风街道*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 负介电 液晶 组合 及其 应用
【说明书】:

发明涉及一种负介电液晶组合物,至少包含一种或多种通式I的化合物以及一种或多种通式II的化合物,所述通式II的化合物中至少包括化合物IIA‑16。本发明所述的液晶组合物具有低旋转粘度、良好的低温互溶性以及快的响应速度的特性。可应用于多种显示模式的快响应液晶显示,在VA/MVA/PVA/PSVA等VA模式以及IPS/FFS模式显示器中的使用,能明显改善液晶显示器的显示效果。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器材料及其应用,具体涉及一种负介电液晶组合物及其应用。

背景技术

目前,液晶在信息显示领域得到了广泛应用,同时在光通讯中的应用也取得了一定的进展(S.T.Wu,D.K.Yang.Reflective Liquid Crystal Displays.Wiley,2001)。近几年,液晶化合物的应用领域已经显著拓宽到各类显示器件、电光器件、电子元件、传感器等,向列型液晶化合物已经在平板显示器中得到最为广泛的应用,特别是用于TFT有源矩阵的系统中。

其中“有源矩阵”包括两种类型:1、在作为基片的硅晶片上的OMS(金属氧化物半导体)或其它二极管。2、在作为基片的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。

单晶硅作为基片材料限制了显示尺寸,因为各部分显示器件甚至模块组装在其结合处出现许多问题。因而,第二种薄膜晶体管是具有前景的有源矩阵类型,所利用的光电效应通常是TN效应。TFT包括化合物半导体,如Cdse,或以多晶或无定形硅为基础的TFT。

目前,LCD产品技术已经成熟,成功地解决了视角、分辨率、色饱和度和亮度等技术难题,其显示性能已经接近或超过CRT显示器。大尺寸和中小尺寸LCD在各自的领域已逐渐占据平板显示器的主流地位。但是受液晶材料本身的制约(粘度高),致使响应时间成为影响高性能显示器的主要因素。

随着用户对显示质量要求越来越高,TN及正性液晶IPS/FFS模式越来越显现出不足,负性液晶所制成的FFS/IPS类显示器具有高的透过率,使用负性液晶的VA类显示器具有优异的对比度。但是负性液晶相对于正性液晶旋转粘度更大,响应时间更慢,如何降低负性液晶的旋转粘度,提升响应速度尤为重要。

发明内容

基于上述的背景内容,本发明提供一种负介电液晶组合物,该组合物具有低旋转粘度、良好的低温互溶性以及快的响应速度等特点。

具体而言,发明提出的一种负介电液晶组合物,其中,至少包含一种或多种通式I所代表的化合物以及一种或多种通式II的化合物,所述通式II的化合物中至少包括化合物IIA-16;

所述通式I具体为:

所述通式I中,R1、R2各自独立地代表C1~C12的直链烷基,其中一个或多个不相邻的CH2可以被O、S或CH=CH所取代;

环A1、A2各自独立地代表反式1,4-环己基、1,4-亚苯基或1,4-环己烯;所述1,4-亚苯基的苯环上1个或多个H原子可以被F原子取代;

Z代表单键、亚乙基或甲氧基;

n代表0或1;

所述通式II具体为:

所述通式II中,R3、R4各自独立地代表C1~C12的直链烷基、直链烷氧基或C2~C12的直链烯基;环A3、A4各自独立代表1,4-亚苯基或反式1,4-环己基;

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