[发明专利]一种上蜡用晶片承载盘及其使用方法

说明书

本发明提出的一种上蜡用晶片承载盘及其使用方法，用于破损晶片的上蜡研磨工艺，其特征在于：所述承载盘包括：一承载晶片的盘体、位于盘体上固定晶片位置的上蜡模具、以及粘结所述盘体与所述吸附层的第一粘结层，所述盘体与所述上蜡模具形成一个用于放置所述晶片的空腔，所述空腔的高度大于等于所述晶片的厚度。并通过在空腔内壁与破损晶片的间隙处填充液，待填充液冷却后形状的填充层与破损晶片自动拼接成一标准晶片。本发明提供的晶片承载盘实现了破损晶片的快速拼接，且拼接后的晶片为一标准晶片，工艺简单、操作快速，同时节省了人工成本，提高了工作效率。

技术领域

本发明属于半导体设备领域，尤其涉及一种上蜡用晶片承载盘及其使用方法。

背景技术

半导体晶片在制备过程中，衬底的厚度一般为400~500备过，较大尺寸的晶片其采用的衬底厚度则会更厚，以防止在外延生长过程中出现较大程度的龟裂及翘曲。但是衬底对光具有一定的吸收作用，因此，为了增加晶片的亮度，在制作过程中往往需要对晶片的衬底进行研磨减薄。一般采用工业蜡将完整的晶片固定于晶片承载盘上，然后进行研磨，上蜡过程中多余的蜡液用吸蜡纸吸除。

但是对于破损晶片在研磨加工前，需使用报废片与破损的晶片手动拼成一个大致标准的晶片，然后再进行上蜡、压蜡、研磨工艺，具体步骤为：将完整的报废晶片人工随机裂成若干片，取大小适宜的子破片与待加工的破损晶片拼接成一大致标准的晶片。但是此方法存在拼图面积准确度差，拼接片在后续研磨加工时易受砂轮研磨掉片，而且由于拼接片为分散组成，在研磨过程中出现受力不均导致研磨偏盘现象，从而导致整盘晶片报废的风险，且拼凑的过程耗时费力，压蜡之前还需要在晶片表面放置吸蜡纸来吸除多余的蜡液。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种上蜡用晶片承载盘，用于破损晶片的上蜡研磨工艺，所述承载盘包括一承载晶片的盘体，其特征在于：还包括设置于所述盘体上表面的若干个固定晶片位置并对所述破损晶片进行上蜡用的上蜡模具、以及粘结所述盘体与所述上蜡模具的第一粘结层，所述盘体与每一个上蜡模具均形成一个用于容置所述晶片的空腔，所述空腔的高度大于等于所述晶片的厚度。

优选的，所述上蜡模具包括一不可形变的基座、位于所述基座上的一可形变吸附层，以及粘结所述基座与吸附层的第二粘结层。

优选的，所述吸附层高度与晶片厚度、基座的高度比为4:2:1~5:2:1。

优选的，所述吸附层为多孔洞结构，所述吸附层在受压时在纵向发生压缩形变。优选的，所述吸附层的材料为聚酯纤维。

优选的，所述基座的材料为铁氟龙。

优选的，所述第二粘结层的材料为环氧树脂胶黏剂或树脂膜。

本发明还提供了一种上蜡用晶片承载盘的使用方法，具体包括以下步骤：

S1、提供一上蜡用晶片承载盘，其包括：一承载晶片的盘体、设置于所述盘体上表面的若干个固定晶片位置并对所述破损晶片进行上蜡用的上蜡模具、以及粘结所述盘体与所述吸附层的第一粘结层， 所述盘体与所述上蜡模具形成一个用于容置所述晶片的空腔，所述空腔的高度大于等于所述晶片的厚度；

S2、于所述空腔内注入一定量的蜡液；

S3、将所述破损晶片置于所述空腔内的蜡液上表面，并在破损晶片上施加一压力，使所述破损晶片通过蜡液固定于所述晶片承载盘上；

S4、于所述破损晶片与所述空腔内壁之间的间隙处注入一定量的填充液，所述填充液的厚度大于等于破损晶片的厚度；

S5、所述填充液凝固后形成填充层，所述填充层和破损晶片组成一标准晶片图形；

S6、去除上蜡模具，完成所述破损晶片的上蜡工艺，并得到待研磨的标准晶片。

优选的，所述填充液为热塑性材料。