[发明专利]应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路

权利要求书

1.一种应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，包括电压跟随器单元，可变电压单元；其中：

所述的电压跟随器单元包括偏置电流器I_BIAS，第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4；

所述的可变电压单元包括参考电流器I_REF，采样电流电路，第五MOS管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9；

所述的电压跟随器单元中的偏置电流器I_BIAS的一端接电源电压V_IN，另一端接第一MOS管M1的源极；第一MOS管M1的栅极接偏置电压V_ref，漏极接第三MOS管M3的漏极；第二MOS管M2的源极与第一MOS管M1的源极相接，第二MOS管M2的漏极与其栅极相接后与第四MOS管M4的漏极相连；第三MOS管M3的栅极与其漏极相接后与第四MOS管M4的栅极相连，第三MOS管M3和第四MOS管M4的源极接地电平；

所述的可变电压单元中的第五MOS管M5的源极和第六MOS管M6的源极相接后，与电源电压V_IN相连，第五MOS管M5的栅极与漏极相接后，与第六MOS管M6的栅极相连，第五MOS管M5的漏极与外接采样电流电路的输出端相连；第六MOS管M6的漏极分别与第七MOS管M7的栅极和漏极相接；第七MOS管M7的源极分别与第四MOS管M4的漏极和第二MOS管M2的漏极相连；第八MOS管M8的漏极接电源电压V_IN，栅极接第七MOS管M7的栅极，第八MOS管M8的源极与参考电流器I_REF的一端相接后与第九MOS管M9的栅极相连；参考电流器I_REF的另一端接地电平；第九MOS管M9的源极接电源电压V_IN，漏极接第一输出电压V_G。

2.根据权利要求1所述的应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，所述的第一MOS管M1、第二MOS管M2、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第九MOS管M9均采用P型金属-氧化物-半导体管。

3.根据权利要求1所述的应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，所述的第三MOS管M3、第四MOS管M4、第七MOS管M7、第八MOS管M8均采用N型金属-氧化物-半导体管。

4.根据权利要求1所述的应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，所述电源电压V_IN采用直流电压，其范围为3V-6V。

5.根据权利要求1所述的应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，所述偏置电压V_ref采用直流电压，其范围为1.4V-4V。

6.根据权利要求1所述的应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，所述第一MOS管M1与第二MOS管M2的宽长比相等。

7.根据权利要求1所述的应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，所述第三MOS管M3与第四MOS管M4的宽长比相等。

8.根据权利要求1所述的应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，所述第五MOS管M5与第六MOS管M6的宽长比之比为8：1。

9.根据权利要求1所述的应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路，其特征在于，所述第七MOS管M7与第八MOS管M8的宽长比相等。