[发明专利]一种设计共模电压的电路

说明书

本发明涉及一种设计共模电压的电路，包括第一电压产生电路、第二电压产生电路、比较器、第一反相器、第二反相器、第一CMOS传输门、第二CMOS传输门；第一电压产生电路以产生第一电压；第二电压产生电路以产生第二电压，第二电压的设计需要参考保证电路正常工作所需的共模电压。第一电压和第二电压分别输出至比较器的输入端和第一CMOS传输门及第二CMOS传输门的输入端。比较器通过比较所述第一电压和所述第二电压的大小，来决定输出第一电压还是第二电压作为共模电压。本发明用于在芯片设计领域，当电源电压随MOS尺寸减小而降低时，设计输出一种共模电压以保证电路中所有晶体管都工作在饱和区。

技术领域

本发明涉及电子电路领域，特别涉及一种设计共模电压的电路。

背景技术

在芯片开发领域，随着MOS技术的发展，电源电压也随着MOS尺寸的减小而变得越来越小，但电源电压的缩小并不代表MOS的阈值电压也跟着同比例缩小。一般情况下，设计共模电压取的是电源电压的一半，因为这样可以获得较好的摆幅和小信号最大输入范围等。然而，当电源电压随着MOS尺寸的减小而变低，共模电压为电源电压一半，这时共模电压不足以保证所有晶体管都工作在饱和区时，则需要改变共模电压。例如：在红外接收芯片的设计中，电源电压分为三档：2.7V、5V、5.5V。当电源电压为2.7V时，共模电压若仍为电源电压的一半显然无法保证电路正常工作。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种设计共模电压的电路。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是。

一种设计共模电压的电路，包括第一电压产生电路、第二电压产生电路、比较器、第一反相器、第二反相器、第一CMOS传输门、第二CMOS传输门；所述第一电压产生电路用于输出第一电压；所述第二电压产生电路用于输出第二电压；所述第一CMOS传输门及所述第二CMOS传输门分别包括高电平控制端、低电平控制端、输入端、输出端；所述第一电压产生电路的输出端连接所述比较器的正极输入端，并与所述第一CMOS传输门的输入端连接；所述第二电压产生电路的输出端连接所述比较器的负极输入端，并与所述第二CMOS传输门的输入端连接；所述比较器的输出端连接所述第一反相器的输入端；所述第一反相器的输出端连接所述第一CMOS传输门的低电平控制端及所述第二CMOS传输门的高电平控制端，并连接所述第二反相器的输入端；所述第二反相器的输出端连接所述第二CMOS传输门的低电平控制端及所述第一CMOS传输门的高电平控制端；所述第一CMOS传输门的输出端及所述第二CMOS传输门的输出端用于输出所需的共模电压。

作为进一步改进，所述第一电压产生电路是一个电源电压的分压电路，用于将电源电压分压得到所述第一电压。

作为进一步改进，所述分压电路包括第一电阻、第二电阻；所述第一电阻的第一端连接电源电压，第二端连接所述第二电阻的第一端；所述第二电阻的第二端接地端；所述第二电阻两端的电压为所述第一电压。

作为进一步改进，所述第一电阻与所述第二电阻阻值相等，使得所述第一电压为电源电压的一半。

作为进一步改进，所述分压电路包括第一MOS管、第二MOS管；所述第一MOS管的源极连接电源电压；所述第一MOS管的栅极与漏极短接，并连接所述第二MOS管源极；所述第二MOS管的栅极与漏极短接，并连接地端；所述第二MOS管上的电压为所述第一电压。

作为进一步改进，所述第一MOS管及所述第二MOS管为N沟道MOS管或P沟道MOS管。

作为进一步改进，所述第二电压产生电路包括电流源、第三MOS管；所述第三MOS管的栅极与漏极短接，并连接所述电流源；所述第三MOS管的源极接地端；所述第三MOS管上的电压为所述第二电压。

作为进一步改进，所述第三MOS管为N沟道MOS管或P沟道MOS管。