[发明专利]堆叠型半导体封装件有效

专利信息
申请号: 201710160149.X 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN107293520B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 史洪宾;李俊镐 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/498
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;田野
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 半导体 封装
【说明书】:

提供一种半导体封装件,该半导体封装件包括:下封装件,包括下封装件基底、设置在下封装件基底上的下半导体芯片和设置在下封装件基底上的下成型层;以及上封装件,设置在下封装件上。上封装件包括上封装件基底和设置在上封装件基底上的上半导体芯片。半导体封装件另外包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的连接端子。连接端子包括最外连接端子和内连接端子。内连接端子设置在下半导体芯片和最外连接端子之间。半导体封装件还包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的第一底填充层。最外连接端子中的至少一个设置在下成型层的外侧。

专利申请要求于2016年4月11日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0044372号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及半导体封装件,更具体地,涉及堆叠型半导体封装件。

背景技术

为了满足对小(例如,薄)和高容量半导体装置和/或电子装置的日益增长的需求,已经开发了各种封装技术。一种封装技术包括竖直地堆叠半导体芯片以提供高密度的电路。与使用具有单个半导体芯片的一般封装获得的集成度相比,这样的封装技术可以将许多种类的半导体芯片集成在较小的区域中。

然而,相比于生产单个芯片封装件的产量(yield),生产多芯片堆叠封装件会导致较小的产量。因此,开发了层叠封装(POP)技术。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例,半导体封装件包括:下封装件,包括下封装件基底、设置在下封装件基底上的下半导体芯片和设置在下封装件基底上的下成型层。半导体封装件还包括设置在下封装件上的上封装件。上封装件包括上封装件基底和设置在上封装件基底上的半导体芯片。半导体封装另外包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的多个连接端子。多个连接端子包括多个最外连接端子和多个内连接端子。多个内连接端子设置在下半导体芯片和多个最外连接端子之间。半导体封装件还包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的第一底填充层。多个最外连接端子中的至少一个设置在下成型层外侧。

根据本发明构思的示例性实施例,半导体封装件包括:下封装件,包括下封装件基底、设置在下封装件基底上的下半导体芯片和设置在下封装件基底上的下成型层。半导体封装件还包括设置在下封装件上的上封装件。上封装件包括上封装件基底和设置在上封装件基底上的上半导体芯片。半导体封装件还包括设置在下成型层和上封装件基底之间的底填充层。半导体封装件还包括设置在下封装件和上封装件之间的多个连接端子。多个连接端子将下封装件连接到上封装件。下成型层包括与下半导体芯片的侧表面接触的第一下成型层。下成型层还包括第二下成型层,其连接到第一下成型层并至少包围多个连接端子中的每个连接端子的下侧表面。第一下成型层具有位于比第二下成型层的顶表面的水平面高的顶表面。

根据本发明构思的示例性实施例,半导体封装件包括:第一封装件,包括下封装件基底、设置在下封装件基底上的下半导体芯片和设置在下封装件基底上的下成型层。半导体封装件还包括设置在第一封装件上的第二封装件。第二封装件包括上封装件基底和设置在上封装件基底上的上半导体芯片。半导体封装件另外包括设置在下封装件基底和上封装件基底之间的多个连接端子。多个连接端子电连接第一封装件和第二封装件。半导体封装件还包括设置在下封装件基底上的下填充层。下成型层包括与下半导体芯片的侧表面接触的第一下成型层。所述下成型层还包括第二下成型层,所述第二下成型层至少包围所述多个连接端子中的每个连接端子的下侧表面。多个连接端子中的至少一个连接端子具有与底填充层接触的侧表面。

附图说明

通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例,本发明构思的以上和其它特征将变得更加明显,在附图中:

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装件的示意性平面图;

图2是根据本发明构思的示例性实施例的沿图1的线A-A'截取的剖视图;

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