[发明专利]一种发光二极管的制备方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上外延生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，在P型欧姆接触层上制作金属反射层，将金属反射层粘合到基板上，依次去除衬底、缓冲层和N型腐蚀停层，制作第一电极，去除部分N型欧姆接触层，在N型电流扩展层上形成SiO₂层和Ag纳米颗粒层，刻蚀SiO₂层和N型电流扩展层，进行粗化处理，可以在N型电流扩展层的表面刻蚀出纳米柱结构，形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，避免了粗化不均匀导致的发光二极管亮度不均匀的情况。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种发光二极管的制备方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

为了提高发光二极管的出光率，在制作发光二极管的过程中，通常会对位于出光侧的电流扩展层进行粗化处理，即通过化学腐蚀的方式使电流扩展层表面形成微观的粗糙结构。电流扩展层在进行粗化处理后表面会呈颗粒状，粗糙度增加，可以减少光在电流扩展层中的全反射，从而提高出光率，提高发光二极管的亮度。

电流扩展层中的Al组分的含量会影响到颗粒的大小，Al组分越高，粗化后形成的颗粒会越小，高度也低，但是Al组分过高会导致芯片出现漏电。为了避免出现芯片漏电，现有的电流扩展层中Al组分的含量都比较低，这就使得粗化后会出现颗粒过大、粗化不均匀等问题，从而导致发光二极管亮度不均匀。

发明内容

为了解决电流扩展层粗化不均匀导致的发光二极管亮度不均匀的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层和P型欧姆接触层；

在所述P型欧姆接触层上制作金属反射层；

提供一基板；

将所述金属反射层粘合到所述基板上；

依次去除所述衬底、所述缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；

在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；

去除所述N型欧姆接触层中未被所述第一电极覆盖的部分，以露出所述N型电流扩展层；

在所述N型电流扩展层和所述第一电极上形成SiO₂层；

在所述SiO₂层上形成Ag纳米颗粒层；

以所述Ag纳米颗粒层作为遮挡，对所述SiO₂层进行刻蚀，且刻蚀深度不小于所述SiO₂层的厚度；

刻蚀所述N型电流扩展层，且刻蚀深度小于所述N型电流扩展层的厚度；

对所述N型电流扩展层进行粗化处理；

在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极。

优选地，所述SiO₂层的厚度大于所述N型欧姆接触层和所述第一电极的厚度之和。

进一步地，所述在所述SiO₂层上形成Ag纳米颗粒层，包括：