[发明专利]InP基异质结双极晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种InP基异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

使用深紫外光源对InP基异质结双极晶体管表面的发射极外延层进行光刻，形成发射极电极；

腐蚀含有所述发射极电极的发射极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层；

在露出的所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；

使用深紫外光源对露出的所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层进行光刻；

在所述露出的所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层表面蒸发金属合金；

腐蚀所述金属合金，形成基极电极；

腐蚀含有所述基极电极的基极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层；

使用深紫外光源对露出的所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层进行光刻，形成集电极电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用深紫外光源对InP基异质结双极晶体管表面的发射极外延层进行光刻，形成发射极电极包括：

在所述InP基异质结双极晶体管表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；

使用深紫外光源对所述InP基异质结双极晶体管表面的发射极外延层进行光刻；

在所述InP基异质结双极晶体管表面蒸发金属合金；

腐蚀所述金属合金，形成发射极电极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属合金为Ti/Pt/Au/Ti/Au，所述Ti/Pt/Au/Ti/Au的厚度为15nm/15nm/400nm/10nm/400nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属合金为Pt/Ti/Pt/Au，所述Pt/Ti/Pt/Au的厚度为2nm/15nm/15nm/120nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用深紫外光源对露出的所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层进行光刻，形成集电极电极包括：

在露出的所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；

使用深紫外光源对露出的所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层进行光刻；

在所述露出的所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层表面蒸发金属合金；

腐蚀所述金属合金，形成集电极电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属合金为Ti/Pt/Au，所述Ti/Pt/Au的厚度为15nm/15nm/400nm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述深紫外光源的波长为180nm至240nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述使用深紫外光源对InP基异质结双极晶体管表面的发射极外延层进行光刻，形成发射极电极之前，所述方法还包括：

使用分子束外延法生长出InP/GaAsSb的异质结双极晶体管结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述使用分子束外延法生长出InP/GaAsSb的异质结双极晶体管结构包括：

在InP衬底上依次生长厚度为250nm至270nm、掺杂浓度为1.2×10¹⁹的N型高掺杂InP外延层、

厚度为50nm至60nm、掺杂浓度为2×10¹⁹的N型高掺杂InGaAs集电极外延层、

厚度为150nm至170nm、掺杂浓度为1×10¹⁹的InP缓冲层、

厚度为20nm至40nm、掺杂浓度为1×10¹⁷的P型高掺杂GaAsSb基极外延层、

厚度为130nm至150nm、掺杂浓度为2×10¹⁷的InP缓冲层、

厚度为100nm至120nm、掺杂浓度为3×10¹⁹的N型高掺杂InGaAs发射极外延层。