[发明专利]一种nBn型InAlSb红外探测器材料及其制备方法，红外探测器

权利要求书

1.一种nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，包括由下到上依次设置的吸收层、势垒层及电极接触层，其中，吸收层为n型轻掺杂的In_1-xAl_xSb，掺杂浓度小于2×10¹⁶cm^-3；电极接触层为n型重掺杂的In_1-xAl_xSb，掺杂浓度为5×10¹⁶～5×10¹⁸cm^-3；In_1-xAl_xSb中，0<x<0.05；

势垒层为n型非故意掺杂的In_1-yAl_ySb，0.08<y<0.4，在由吸收层向电极接触层的方向上，势垒层中Al的含量逐渐增加。

2.如权利要求1所述的nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，吸收层和电极接触层中，掺杂元素均为Te。

3.如权利要求1或2所述的nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，吸收层的厚度为1～10μm，势垒层的厚度为0.01～0.1μm，电极接触层的厚度不小于0.1μm。

4.如权利要求1所述的nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，电极接触层的远离势垒层的一侧还设有用于与金属电极形成欧姆接触的盖帽层。

5.如权利要求4所述的nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，盖帽层为n型重掺杂的InSb，掺杂浓度为5×10¹⁷～5×10¹⁸cm^-3。

6.如权利要求1所述的nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，吸收层的远离势垒层的一侧还设有缓冲层。

7.如权利要求6所述的nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，缓冲层为n型掺杂的InSb，掺杂浓度为2×10¹⁶～2×10¹⁸cm^-3。

8.如权利要求1或4或6所述的nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，缓冲层的远离势垒层的一侧设有衬底层。

9.一种如权利要求1所述的nBn型InAlSb红外探测器材料的制备方法，其特征在于，采用分子束外延法依次生长吸收层、势垒层及电极接触层，即可。

10.一种采用如权利要求1所述的nBn型InAlSb红外探测器材料制备的红外探测器。