[发明专利]高介电低损耗无规共聚物电介质材料及制备方法

权利要求书

1.一种无规共聚物，其特征在于，具有式I所示的通式：

其中，R为C₁₂H₂₅，n和m均为摩尔百分数，n为50～90％，m为10～50％。

2.一种如权利要求1所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将2-羟基甲砜与甲基丙烯酰氯在三乙胺的催化下进行缩合反应，得到2-甲砜基乙基丙烯酸甲酯；

将所述2-甲砜基乙基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯在无水无氧条件下进行共聚反应，将共聚产物经过稀释、沉降、洗涤、干燥，得到所述无规聚合物；所述共聚反应为可逆加成-断裂链转移聚合反应，其中，链转移剂为三硫酯类DDMAT链转移剂。

3.如权利要求2所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，所述缩合反应的溶剂为二氯甲烷，反应温度为-10～0℃。

4.如权利要求2所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，所述共聚反应的溶剂为N，N-二甲基甲酰胺，反应温度为60～80℃，引发剂为偶氮二异丁腈。

5.如权利要求2所述的无规共聚物的制备方法，其特征在于，所述2-甲砜基乙基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的摩尔比为(1～10)：1，反应物浓度以单体浓度之和计算为1～5mol/L。

6.一种如权利要求1所述的无规共聚物在可交联高介电低损耗绝缘材料中的用途。

7.一种利用权利要求1所述的无规共聚物制备薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

将所述无规共聚物与胺类交联剂混匀，得到制膜液；

将所述制膜液在聚酰亚胺薄膜上均匀涂覆后，在40℃的真空条件下使溶剂进行挥发；

在80℃下进行热交联，得到透明柔性薄膜。

8.如权利要求7所述的无规共聚物制备薄膜的方法，其特征在于，所述胺类交联剂为芳香二胺类交联剂或脂环类二胺交联剂。

9.如权利要求7所述的无规共聚物制备薄膜的方法，其特征在于，所述胺类交联剂的用量为无规共聚物质量的5～15％，所述无规共聚物的浓度为20～40mg/mL。

10.一种以权利要求1所述无规共聚物为绝缘层的晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将所述无规共聚物配制制膜液，并将所述制膜液在导电栅极上进行旋涂后，在80℃下进行热交联，得到聚合物薄膜；

在所述聚合物薄膜表面蒸镀半导体和电极，得到场效应晶体管。

11.如权利要求10所述的晶体管的制备方法，其特征在于，所述无规共聚物是溶解于N-甲基吡咯烷酮中得到制膜液的，所述无规共聚物在制膜液中的浓度为40～80mg/mL，旋涂的转速为3000rpm。