[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域的所述半导体衬底上形成有由自下而上层叠的栅极介电层和伪栅电极层构成的伪栅极结构，所述伪栅极结构形成于介质层中；

形成覆盖所述伪栅极结构及所述介质层的金属硬掩膜层；

去除位于所述NMOS区域的所述金属硬掩膜层；

形成覆盖所述金属硬掩膜层的覆盖层；

对所述NMOS区域的伪栅极结构执行离子注入，以抑制所述半导体器件的热载流子注入效应；

去除所述覆盖层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所注入的离子为氟离子。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除位于所述NMOS区域的所述金属硬掩膜层之后，形成所述覆盖层之前，还包括去除预定深度的所述伪栅电极层的步骤。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为SiO₂。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极介电层与所述半导体衬底之间还形成有界面层，其中，在所述离子注入步骤中将离子注入至所述栅极介电层与所述界面层的界面处。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括PMOS区域，所述PMOS区域的半导体衬底上形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构形成于所述介质层中。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述PMOS区域的伪栅极结构两侧形成有嵌入式锗硅结构。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层还覆盖所述PMOS区域的伪栅极结构。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，去除位于所述NMOS区域的金属硬掩膜层的步骤包括：

在所述金属硬掩膜层上形成光刻胶层；

图案化所述光刻胶层，使其窗口暴露所述NMOS区域；

执行刻蚀，以去除所述NMOS区域的金属硬掩膜层。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极介电层为高k介电层，所述伪栅极结构两侧还形成有侧壁结构。