[发明专利]高压电源装置

权利要求书

1.一种高压电源装置，其特征在于，包括：

M个第一中压开关，所述M个第一中压开关依序串接，且串接在电源电压与所述高压电源装置的输出端之间，其中所述M个第一中压开关分别受控于M个第一偏压电压，以将所述电源电压传输至所述输出端，其中M为大于或等于2的整数；

M个第一开关串联组，包括辅助开关串联组以及L个偏压开关串联组，其中所述M个第一开关串联组中的每一个的第一端耦接所述电源电压，且所述M个第一开关串联组的每一个的第二端产生所述M个第一偏压电压的其中一个，其中L＝M－1；

第二开关串联组，耦接在所述辅助开关串联组的所述第二端与接地电压之间，所述第二开关串联组用以限制流经所述辅助开关串联组的电流，且受控于控制信号而启闭，致使所述辅助开关串联组产生对应的所述第一偏压电压；以及

L个第一电流源，所述L个第一电流源中的每一个耦接在所述L个偏压开关串联组中的其中一对应者的所述第二端与所述接地电压之间，以提供对应的所述偏压开关串联组运作所需的第一偏压电流。

2.根据权利要求1所述的高压电源装置，其特征在于，所述M个第一开关串联组中的每一个包括：

多个第二中压开关，所述多个第二中压开关依序串接，且串接在所述电源电压与对应的所述第一开关串联组的所述第二端之间。

3.根据权利要求2所述的高压电源装置，其特征在于，所述M个第一开关串联组中的每一个的所述多个第二中压开关为多个晶体管，其中所述多个晶体管中的第一级晶体管的源极端耦接所述电源电压，所述多个晶体管中的每一个的栅极端与漏极端相耦接并耦接至下一级晶体管的源极端，且所述多个晶体管中的最后一级晶体管的栅极端与漏极端相耦接并耦接至对应的所述第一开关串联组的所述第二端，其中至少部分所述多个晶体管的基体为彼此共用并耦接至所述至少部分所述多个晶体管中的最高电位，且所述至少部分所述多个晶体管的数量由所述多个晶体管的崩溃电压与所述多个晶体管的临界电压来决定。

4.根据权利要求2所述的高压电源装置，其特征在于，所述M个第一开关串联组中的每一个的所述多个第二中压开关为多个二极管，其中所述多个二极管中的第一级二极管的阳极端耦接所述电源电压，所述多个二极管中的每一个的阴极端耦接至下一级二极管的阳极端，且所述多个二极管中的最后一级二极管的阴极端耦接至对应的所述第一开关串联组的所述第二端。

5.根据权利要求2所述的高压电源装置，其特征在于，所述M个第一中压开关包括：

多个晶体管，所述多个晶体管中的第一级晶体管的源极端耦接所述电源电压，所述多个晶体管的每一个的漏极端耦接至下一级晶体管的源极端，且所述多个晶体管中的最后一级晶体管的漏极端耦接至所述输出端，

其中所述多个晶体管中的所述第一级晶体管的栅极端耦接所述辅助开关串联组的所述第二端，且所述多个晶体管中的第J级晶体管的栅极端耦接所述L个偏压开关串联组中的第I个偏压开关串联组的所述第二端，其中J＝I+1，且I为小于或等于L的正整数。

6.根据权利要求5所述的高压电源装置，其特征在于：

所述辅助开关串联组中的所述多个第二中压开关的数量，由所述多个晶体管的崩溃电压及所述多个晶体管的临界电压决定；以及

所述L个偏压开关串联组中的所述第I个偏压开关串联组的所述多个第二中压开关的数量，由所述电源电压的最大值、所述多个晶体管中的所述第J级晶体管的源极端的电压以及所述多个晶体管的所述临界电压决定。

7.根据权利要求5所述的高压电源装置，其特征在于，还包括：

辅助元件，耦接在所述第一级晶体管的所述源极端与所述栅极端之间，以辅助控制所述第一级晶体管的启闭运作。

8.根据权利要求7所述的高压电源装置，其特征在于，所述辅助元件为电阻或电流源。