[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，通过对栅极金属层的图案进行设计，使栅极金属层对应形成跨接孔的区域设有反射块，从而在形成跨接孔的过程中，通过反射块对光线进行反射而加强形成跨接孔位置处的曝光强度，在受现有曝光机曝光极限尺寸限制的情况下，仍可保证高PPI显示面板器件中形成跨接孔时曝光充分，进而可实现高PPI显示面板产品的生产。本发明的TFT基板，可保证高PPI显示面板器件中形成跨接孔时曝光充分，进而可实现高PPI显示面板产品的生产。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。

背景技术

目前，越来越多显示器开始使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(Array)基板进行像素驱动，以完成显示器的显示。TFT阵列基板作为目前显示器中的主要结构部分，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管器件和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。传统的TFT阵列基板上像素单元的结构通常包括自下而上依次层叠设置的衬底基板、半导体层、氧化层、栅极金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、源漏极金属层、绝缘保护层、及像素电极；其中，为了实现两层之间的连接，还需要在像素单元上制作跨接孔，例如源漏极与有源层之间的连接，像素电极与漏极之间的连接等。

随着4K、8K显示器的开发，人们对显示器的分辨率的需求也越来越高，高像素密度(pixels per inch，PPI)已经成为显示器行业的主要发展方向。屏幕供应商开始挑战800PPI以上的产品，此时，需要将TFT器件的跨接孔的尺寸做到很小，如1um。目前，主要利用构图工艺对TFT器件的跨接孔进行制作，具体为，在涂有光刻胶(Photo Resist，PR)的基板上方放置掩膜板，然后利用曝光机对基板进行曝光，具体的，曝光机通过开启超高压水银灯发出紫外(UV)光线，将掩膜板上的图像信息转移到涂有光刻胶的基板表面上，基于掩膜板的图案，光刻胶会有被曝光的部分和未被曝光的部分；再利用显影液对光刻胶进行显影，即可去除光刻胶被曝光的部分，保留光刻胶未被曝光的部分(正性光刻胶)，从而使光刻胶形成所需的图形；然后以保留的光刻胶为遮蔽，对基板进行蚀刻，从而形成跨接孔。然而目前业界普遍使用尼康(Nikon)曝光机进行阵列基板的曝光制程，受当前曝光机曝光极限尺寸影响(曝光极限尺寸2um)，超高PPI显示面板器件的跨接孔的曝光制程，光刻胶常因曝光不充分而无法显影掉，导致产品的不良，如图1所示，待蚀刻材料层200上涂布有光刻胶层300，光刻胶层300上方设置的掩膜板500的图案精度为1μm，而曝光机的曝光极限尺寸为2μm，光刻胶层300对应掩膜板500上透光图案501的部分曝光不足，从而光刻胶层300在经显影液显影后，该曝光不足的部分并未完全被显影去除，进而无法进一步实现对待蚀刻材料层200进行图案化的蚀刻。

因此，设计一种新的TFT基板的制作方法，以满足超高PPI显示面板器件中跨接孔的曝光制程要求，是十分必要的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可保证高PPI显示面板器件形成跨接孔时曝光充分，进而可实现高PPI显示面板产品的生产。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板，可保证高PPI显示面板器件形成跨接孔时曝光充分，进而实现高PPI显示面板产品的生产。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

沉积并经图案化工艺形成栅极金属层的步骤，所述栅极金属层包括栅极、及反射块，所述反射块与所述栅极不连接；

在所述栅极金属层上形成绝缘层的步骤；