[发明专利]一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法有效

专利信息
申请号: 201710163698.2 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN106888971B 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 邓辉;陈乃富;韦传宝;孙立;王寅嵩 申请(专利权)人: 皖西学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 王志兴
地址: 237012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 自然 光源 组培室 霍山 石斛 组培苗 培养 方法
【权利要求书】:

1.一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)种子萌发

①配制种子萌发培养基,完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用;

②取霍山石斛果实,用70-75%乙醇溶液消毒0.5-1.5分钟,再用0.1%的升汞溶液浸泡10-20分钟,然后用无菌水清洗浸泡2-4次,捞出放在无菌滤纸上,切开果实,把粉末状种子抖落至种子萌发培养基上进行接种;

③将完成接种的培养基置于自然光源组培室中,调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为2.5-2.0,光照强度500-800lux,再按照光照时间8-10小时/天,日间平均温度21-23℃,昼夜温差3-5℃的培养条件培养,培养25-35天,形成的圆球茎;

(2)圆球茎培养

①配制圆球茎生长培养基,完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用;

②将形成的圆球茎转移到圆球茎生长培养基上,调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为2.0-1.5,光照强度2000-3000lux,再按照光照时间10-12小时/天,日间平均温度21-23℃,昼夜温差3-5℃的培养条件培养,55-65天后分化成具有芽和根的小苗;

(3)小苗培养

①配制种苗生长培养基,完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用;

②将长成l-2cm的试管小苗转移到种苗生长培养基上,调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为1.5-1.0,光照强度3000-5000lux,再按照光照时间10-13小时/天,日间平均温度21-23℃,昼夜温差7-8℃的培养条件培养,培养70-90天后,试管苗可达到霍山石斛优质试管苗的标准;

所述自然光源组培室为自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚,所述红、蓝光辐射比率、光照强度、光照时间均通过自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚进行控制调整;所述自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚包括温室大棚和光照调控系统;所述温室大棚的棚顶及四周设有电致变色玻璃,电致变色玻璃的控制端连接至光照调控系统;所述光照调控系统包括控制系统、蓄电池和设置于温室大棚的四周及植株旁的光敏传感器,控制系统上设有电源输入端、电源输出端和数据采集端,控制系统通过电源输入端、电源输出端和数据采集端分别与蓄电池、电致变色玻璃、光敏传感器相连;

所述电致变色玻璃的表面设有变色涂料层,所述变色涂料层具体为两种相间而设的变色涂料层,分别为红色变色涂料层、蓝色变色涂料层;所述红色变色涂料层、蓝色变色涂料层呈格子状或条状相间设置于电致变色玻璃的表面;

所述变色涂料层包括变色载体层和镶嵌于其内部的呈色物质层,其中,变色载体层为石墨烯制载体层或纳米碳制载体层,呈色物质层为金属盐层;所述红色变色涂料层的金属盐层具体为酞菁红金属盐层,蓝色变色涂料层的金属盐层具体为紫罗精金属盐层或酞菁蓝金属盐层。

2.根据权利要求1所述的采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法,其特征在于,所述步骤(1)中种子萌发培养基为MS培养基,配方为:每升培养基含白砂糖50g,琼脂4.5g,pH值6-6.2;

所述步骤(2)中圆球茎生长培养基为添加有土豆的MS培养基,配方为:每升培养基含土豆100g,白砂糖40g,琼脂4.5g,pH值6-6.2;

所述步骤(3)中种苗生长培养基为添加有香蕉的1/2MS培养基,配方为:每升培养基含香蕉75g,白砂糖30g,琼脂4.5g,pH值6-6.2。

3.根据权利要求1所述的采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法,其特征在于,所述步骤(3)中霍山石斛优质试管苗的标准为:茎高4cm以上,叶片5片以上,叶色深绿,茎粗0.3cm以上,有3条以上正常发育根的霍山石斛试管苗。

4.根据权利要求1所述的采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法,其特征在于,所述培养基的灭菌消毒方式均为高压蒸汽灭菌锅灭菌。

5.根据权利要求1所述的采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法,其特征在于,所述温室大棚内设有控制室,控制室内设有控制系统;所述控制系统上还设有液晶显示器、光照强度调节按钮和电源开关按钮。

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