[发明专利]一种金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管的制备方法有效
申请号: | 201710164108.8 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN106847701B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 王凤云;宋龙飞;张洪超;罗麟氍;刘畅;石肇基 | 申请(专利权)人: | 青岛大学 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;D01F9/08;D01F1/10 |
代理公司: | 青岛高晓专利事务所(普通合伙) 37104 | 代理人: | 高泽玉 |
地址: | 266071 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 掺杂 氧化锌 纳米 纤维 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管的制备方法,其具体工艺步骤包括:
(1)制备前驱体溶液
在玻璃瓶中先加入0.8-1.6g二水乙酸锌,然后再加入20-40g N,N-二甲基甲酰胺作为溶剂,在15-30℃温度下进行磁力搅拌1.5-3小时,得到稳定均一的透明溶液;然后再加入5-10g聚乙烯吡咯烷酮,在15-30℃温度下进行磁力搅拌4-6小时后得到纯Zn源的静电纺丝前驱体溶液;
(2)掺杂金属元素
将金属元素Al对应的氯化盐或硝酸盐0.04-0.64g溶于步骤(1)中配制的含纯Zn源的静电纺丝前驱体溶液中,得到Al掺杂重量百分比为40%的掺杂静电纺丝前驱体溶液;
(3)静电纺丝
将步骤(2)制备的掺杂静电纺丝前驱体溶液纺在基底为表面附有厚度为150-300nmSiO2介电层的硅片或ITO玻璃上,得到金属掺杂ZnO纳米纤维;另外,将接收基板改为滚筒,并通过调节滚筒转速,最终能得到有序排列的金属掺杂ZnO纳米纤维;纺丝条件设置为注射器针头与接收基板间电压10-20kV,相对湿度20-50%,注射器针头到接收基板间的距离10-20cm,溶液推进速度0.5-1ml/h;
(4)器件组装:
将步骤(3)得到的金属掺杂ZnO纳米纤维放入加热台烤胶10-30min,然后将烤胶过的金属掺杂ZnO纳米纤维放置在UV灯下光照20-60min,将纳米纤维固化并与附有SiO2介电层的硅片或ITO玻璃紧密接触;然后将UV灯照射过的金属掺杂ZnO纳米纤维放入马弗炉中,在400-500℃温度下退火1-3h,自然冷却至室温后取出;再用热蒸发镀膜机在纳米纤维层上蒸镀一对厚度为50-200nm Al薄膜作为源、漏电极,然后在200-300℃氮气气氛中退火30-60min,即得金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管;制备的金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管的主体结构包括SiO2介电层、有源层、基底和源漏电极;SiO2介电层厚度为150-300nm;有源层为金属掺杂氧化锌纳米纤维;源漏电极为50-200nm厚的Al薄膜,设置在SiO2介电层的两侧,其沟道长为1000μm,宽为100μm;基底为硅片或ITO玻璃;基底、SiO2介电层、有源层和源漏电极从下到上依次固定连接;开态电流为2.5×10-5A,阈值电压为1.5V,开关比为107。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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