[发明专利]一种表面金属化陶瓷立方体和制作方法有效
申请号: | 201710165084.8 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN106960882B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 郑颖;高珊;许妍 | 申请(专利权)人: | 河北盛平电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/18 |
代理公司: | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人: | 王加莹 |
地址: | 050091 河北省石*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面金属化 陶瓷立方体 陶瓷条 底面 金属图形 陶瓷基板 烧结 线切割 顶面 固化 表面电镀金属 印制 覆盖金属层 印制金属层 垂直切割 三维结构 生产效率 水平切割 微型陶瓷 载体金属 正面工艺 工艺线 金属层 成条 生产工艺 申请 制备 制作 | ||
本申请公开了一种表面金属化陶瓷立方体和制作方法,解决微型陶瓷三维结构载体金属化困难的问题,所述立方体顶面覆盖金属层、正面包含金属图形一、底面包含金属图形二,包含以下步骤、在陶瓷基板正面印制图形一和正面工艺线;固化、烧结;将所述陶瓷基板沿所述水平切割线切割成条;在陶瓷条的顶面印制金属层;在陶瓷条的底面印制图形二和底面工艺线;固化、烧结;在所述金属层、图形一和图形二表面电镀金属;将陶瓷条沿所述垂直切割线切割。本申请提供的表面金属化陶瓷立方体制备方法,生产工艺简单,成本低,生产效率高。
技术领域
本发明涉及光电技术领域,尤其涉及一种金属化陶瓷立方体的制备方法。
背景技术
随着光电通信技术的发展,使用的频率越来越高,器件及模块尺寸越来越小,同时结构也越来越复杂,使得陶瓷金属载体从二维结构逐渐向三维结构转化。然而,目前光电器件、光电模块所用的三维陶瓷金属载体,往往由于体积小而使得金属化加工困难。
现有的陶瓷三维结构载体金属化加工主要是采用薄膜金属化技术,需通过多次溅射、多次涂胶、多次光刻才能完成,不但程序繁琐,并且存在顶面和底面金属图形涂胶困难、难以保证顶面、底面金属图形与正面金属图形的精准对位等问题,同时设备投资大、制作难度高,难以实现规模化的批量生产,无法满足厚度小于或者等于1mm的陶瓷金属化三维结构载体的生产加工要求。
发明内容
有鉴于此,为解决微型陶瓷表面金属化加工困难的问题,本发明提出了一种表面金属化陶瓷立方体和制作方法。
本申请实施例提供了一种表面金属化陶瓷立方体制作方法,所述立方体顶面覆盖金属层、正面包含金属图形一、底面包含金属图形二,所述正面两水平边的距离为高度、两垂直边的距离为长度,所述图形一与图形二相连,所述图形二与至少一个侧面相接,制作方法包含以下步骤:在陶瓷基板正面印制图形一和正面工艺线,所述立方体正面的范围由两条水平切割线和两条垂直切割线围成,所述正面工艺线在所述范围之外,所述正面工艺线与所述两条水平切割线分别相交;固化、烧结所述图形一和正面工艺线;将所述陶瓷基板沿所述水平切割线切割成条,所述陶瓷基板正面与陶瓷条的正面共面;在陶瓷条的顶面印制金属层,陶瓷条的顶面与立方体顶面共面;在陶瓷条的底面印制图形二和底面工艺线,陶瓷条的底面与所述立方体底面共面,所述立方体底面、正面在陶瓷条上的位置对齐,所述底面工艺线与所述正面工艺线相连,所述底面工艺线与所述图形二相连;固化、烧结所述金属层、图形二和底面工艺线;在所述金属层、图形一和图形二表面电镀金属;将陶瓷条沿所述垂直切割线切割断开。
进一步地,所述图形一和正面工艺线在所述陶瓷基板正面沿水平方向重复排列,所述图形二和底面工艺线在陶瓷条的底面沿水平方向重复排列。
可选择地,所述图形一在所述陶瓷基板正面沿垂直方向重复排列,所述图形一的重复间距大于或等于所述高度。
进一步地,所述表面金属化陶瓷立方体制作方法,还包括在所述陶瓷基板或陶瓷条的正面切割对位槽,所述对位槽垂直于所述水平切割线并与所述水平切割线相交。
本申请还提出一种表面金属化陶瓷立方体,使用本发明实施例所述方法,所述立方体的长度、高度和宽度中至少一项小于或等于1mm。
本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果:
为制备光电技术领域使用的微型陶瓷金属化三维结构载体,本发明所述的方法,与现有的技术相比,生产工艺简单,成本低,生产效率高。在本发明的至少一个实施例中,由于采取了厚膜的生产技术和切割定位槽等措施达到优化正面图形和侧面图形的精准对位的效果,解决了微型陶瓷载体制作难度大、生产成本高的问题,大大提高了生产效率,使批量化生产成为可能。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的