[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制作方法及薄膜晶体管阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，在所述基板上依次形成缓冲层、图案化的多晶硅层、第一栅绝缘层、图案化的第一金属层、电容绝缘层、图案化的第二金属层及第一层间绝缘层，其中，所述图案化的多晶硅层包括位于所述缓冲层的第一位置处的硅薄膜晶体管有源层，所述图案化的第一金属层包括位于所述硅薄膜晶体管有源层上方的硅薄膜晶体管栅极和位于所述缓冲层的第二位置上方的电容下电极，所述图案化的第二金属层包括位于所述电容下电极上方的电容上电极；

刻蚀除去所述电容绝缘层和所述第一层间绝缘层的位于所述缓冲层的第三位置上方的部分以暴露出所述第一栅绝缘层的位于所述第三位置上方的部分；

依次形成图案化的氧化物半导体层、第二栅绝缘层、图案化的第三金属层、第二层间绝缘层，所述图案化的氧化物半导体层包括位于所述缓冲层的第三位置上方的氧化物薄膜晶体管有源层，所述图案化的第三金属层包括位于所述氧化物薄膜晶体管有源层上方的氧化物薄膜晶体管栅极；

形成第一过孔、第二过孔、第三过孔与第四过孔，所述第一过孔与所述第二过孔分别暴露出所述硅薄膜晶体管有源层的两端，所述第三过孔与所述第四过孔分别暴露出所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端；

形成图案化的第四金属层，所述第四金属层包括硅薄膜晶体管漏极、硅薄膜晶体管源极、氧化物薄膜晶体管漏极和氧化物薄膜晶体管源极，其中，所述硅薄膜晶体管漏极和所述硅薄膜晶体管源极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述硅薄膜晶体管有源层的两端接触，所述氧化物薄膜晶体管漏极和所述氧化物薄膜晶体管源极分别通过所述第三过孔和所述第四过孔与所述氧化物薄膜晶体管有源层的两端接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二栅绝缘层为图案化的第二栅绝缘层，形成所述图案化的第二栅绝缘层的步骤包括：

沉积一栅绝缘层；

刻蚀除去所述栅绝缘层的位于所述第一位置与所述第二位置上方的部分以形成图案化的第二栅绝缘层。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二位置位于所述第一位置与所述第三位置之间。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述多晶硅层为低温多晶硅层，所述氧化物半导体层为铟镓锌氧化物层。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，采用湿刻工艺同时形成所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔与所述第四过孔。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，采用等离子干刻工艺同时形成所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔与所述第四过孔。

7.如权利要求5或6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成第一过孔、第二过孔、第三过孔与第四过孔的步骤之后，还包括：

对所述第三过孔与所述第四过孔分别暴露出的所述氧化物薄膜晶体管有源层两端的表面进行等离子体处理。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述电容绝缘层、第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层为氮化硅层。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成图案化的第四金属层的步骤之后，还包括：

依次形成钝化层和平坦化层；

形成第五过孔，所述第五过孔暴露出所述氧化物薄膜晶体管源极；

形成铟锡氧化物半导体透明导电层，所述铟锡氧化物半导体透明导电层通过所述第五过孔与所述氧化物薄膜晶体管源极接触。

10.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板采用如权利要求1-9中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的制成。