[发明专利]电致发光显示器件及其像素结构和制作方法在审
申请号: | 201710165737.2 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN107658326A | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示 器件 及其 像素 结构 制作方法 | ||
1.一种电致发光显示器件的像素结构,其特征在于,所述像素结构包括在基板上设置的多列像素单元,每列像素单元具有多个子像素,每个子像素均包括设有发光功能层的发光区和用于驱动所述发光功能层发光的驱动区,所述驱动区设有与所述子像素的像素电极电连接的驱动电路,每列像素单元中相邻的子像素之间呈镜像对称设置,每列像素单元中发光区相邻设置的两个子像素构成子像素组,每个子像素组中的两个子像素的颜色相同,不同的子像素组之间通过像素界定层隔开,且每个子像素组中的两个子像素的发光区位于所述像素界定层的同一像素坑内。
2.如权利要求1所述的电致发光显示器件的像素结构,其特征在于,每个子像素组中的两个子像素的像素电极之间也设有像素界定层,且发光功能层连续。
3.如权利要求2所述的电致发光显示器件的像素结构,其特征在于,每个子像素组中的两个子像素的像素电极之间的像素界定层的厚度小于相邻的子像素组之间的像素界定层的厚度。
4.如权利要求4所述的电致发光显示器件的像素结构,其特征在于,每个子像素组中的两个子像素的像素电极之间的像素界定层的厚度为0.1μm~0.2μm,相邻的子像素组之间的像素界定层的厚度为0.5μm~2μm。
5.如权利要求1所述的电致发光显示器件的像素结构,其特征在于,每列所述像素单元中的多个子像素的颜色相同。
6.如权利要求1所述的电致发光显示器件的像素结构,其特征在于,所述驱动电路设于所述基板上。
7.如权利要求6所述的电致发光显示器件的像素结构,其特征在于,还包括设于所述驱动电路上的平坦层,所述像素电极及所述像素界定层设于所述平坦层上,所述平坦层具有用于供所述驱动电路与所述像素电极电连接的连接孔。
8.如权利要求1~7中任一项所述的电致发光显示器件的像素结构,其特征在于,所述像素结构的顶电极整体覆盖在所述发光功能层及凸出的所述像素界定层的表面。
9.一种电致发光显示器件的像素结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基板上的预设位置制作驱动电路;
在所述基板上制作具有多列像素电极的像素电极层,并与所述驱动电路对应连接,每列像素电极包括多个子像素电极,每个子像素电极均具有发光区和驱动区,所述驱动电路与所述驱动区对应,每列像素电极中相邻的子像素电极之间呈镜像对称设置,每列像素电极中发光区相邻设置的两个子像素电极构成子像素电极组;
在所述基板上制作像素界定层,以将不同的子像素电极组隔开,每个子像素电极组中的两个子像素电极的发光区位于所述像素界定层的同一像素坑内;
在所述像素电极层上形成发光功能层,控制每个子像素电极组中的两个子像素电极上的发光功能层的颜色相同;
在所述发光功能层上形成顶电极层。
10.一种电致发光显示器件,其特征在于,包括封装结构以及位于所述封装结构内的如权利要求1~8中任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的