[发明专利]用于制造装置的方法和设备

权利要求书

1.一种用于制造装置的方法，所述方法包括：

将一或更多个基板定位在第一处理腔室中，所述第一处理腔室具有一或更多个侧壁，所述侧壁界定处理区域；

在所述第一处理腔室中在所述一或更多个基板上形成氮化铝层，其中形成所述氮化铝层包括：

偏压靶材，所述靶材具有和所述处理区域接触的表面，其中所述靶材包含铝；

偏压电极以在所述一或更多个基板上形成电势，所述一或更多个基板设置在基板支撑件之上；

将第一气体流入所述处理区域，所述第一气体包含氮；和

将第二气体流入所述处理区域，其中所述第二气体包含氩气、氪气或氖气，

其中偏压所述靶材经配置以促进在所述一或更多个基板上所形成的氮化铝层的铝面生长，并且

其中偏压所述电极包括在所述一或更多个基板上产生浮动电势，所述浮动电势自-300伏特与-1伏特之间变化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中偏压电极的步骤包括在偏压所述靶材之前，偏压所述电极达1秒至15分钟的第一时段之久。

3.根据权利要求1所述的方法，其中偏压所述靶材包括输送功率在0.125w/cm²与20w/cm²之间的脉冲直流电信号或射频信号。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述靶材进一步包括铝和II族、IV族或VI族元素。

5.根据权利要求1所述的方法，其中偏压所述电极包括在偏压所述靶材的同时在所述一或更多个基板上产生浮动电势。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将所述一或更多个基板从所述第一处理腔室移送至第二处理腔室；和

在所述第二处理腔室中在所述氮化铝层上形成III族氮化物层，其中形成所述III族氮化物层的步骤包括：

向所述一或更多个基板中每一者的表面输送含金属的前驱物和含氮的气体。

7.一种用于制造装置的方法，所述方法包括：

将一或更多个基板定位在第一处理腔室中，所述第一处理腔室具有一或更多个侧壁，所述侧壁界定处理区域；和

在所述第一处理腔室中在所述一或更多个基板上形成氮化铝层，其中形成所述氮化铝层包括：

偏压靶材，所述靶材具有和所述处理区域接触的表面，其中所述靶材包含铝；

偏压电极以在所述一或更多个基板上形成电势，所述一或更多个基板设置在基板支撑件之上；

将第一气体流入所述处理区域，所述第一气体包含氮；和

将第二气体流入所述处理区域，其中所述第二气体包含氩气、氪气或氖气，

其中偏压所述靶材经配置以促进在所述一或更多个基板上所形成的氮化铝层的铝面生长，

其中加工所述一或更多个基板的所述表面的步骤包括使所述一或更多个基板脱气或溅射蚀刻所述一或更多个基板的表面，并且

其中偏压所述电极包括在所述一或更多个基板上产生浮动电势，所述浮动电势自-300伏特与-1伏特之间变化，并且所述的方法进一步包括以下步骤：

在偏压所述靶材之前，将所述一或更多个基板加热至200℃与1000℃之间的温度；

在偏压所述靶材的同时控制处理的压力至0.1毫托与200毫托之间的压力；以及

以0.2埃/秒与20埃/秒之间的沉积速率沉积所述AlN层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述靶材进一步包括铝和II族、IV族或VI族元素。