[发明专利]一种发光二极管的芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层、电流阻挡层和透明导电层，所述芯片上设有从所述透明导电层延伸至所述N型氮化镓层的凹槽；所述芯片还包括N型电极、P型电极和钝化层，所述N型电极设置在所述凹槽内的所述N型氮化镓层上，所述钝化层设置在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述凹槽内的所述N型氮化镓层上；所述P型电极包括底面设置在所述P型氮化镓层和透明导电层上的圆柱体和至少一个底面设置在所述透明导电层上的条形体，所述条形体由所述圆柱体的侧面向外延伸，所述圆柱体和所述条形体均包括依次层叠的欧姆接触层、反光层和焊料层，其特征在于，所述反光层的材料采用铝硅铜合金，所述铝硅铜合金中硅的质量分数为1％～2％，所述铝硅铜合金中铜的质量分数为0.5％～1％。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述焊料层包括依次层叠的至少两个子层，所述至少两个子层中距离所述反光层最远的所述子层的材料采用铝硅铜合金。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述至少两个子层中距离所述反光层最远的所述子层的厚度为10000～20000埃。

4.根据权利要求1～3任一项所述的芯片，其特征在于，所述反光层的厚度为500～3000埃。

5.一种发光二极管的芯片的制备方法，所述制备方法包括：

在衬底上依次生长氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层；

开设从所述P型氮化镓层延伸至所述N型氮化镓层的凹槽；

在所述P型氮化镓层上形成电流阻挡层和透明导电层；

在所述P型氮化镓层和所述透明导电层上设置P型电极，在所述凹槽内的所述N型氮化镓层上设置N型电极，所述P型电极包括底面设置在所述P型氮化镓层和透明导电层上的圆柱体和至少一个底面设置在所述透明导电层上的条形体，所述条形体由所述圆柱体的侧面向外延伸；

在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁、所述凹槽内的所述N型氮化镓层上形成钝化层；

其特征在于，所述在所述P型氮化镓层和所述透明导电层上设置P型电极，在所述凹槽内的所述N型氮化镓层上设置N型电极，包括：

依次形成欧姆接触层、反光层和焊料层，所述反光层的材料采用铝硅铜合金，所述铝硅铜合金中硅的质量分数为1％～2％，所述铝硅铜合金中铜的质量分数为0.5％～1％。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述依次形成欧姆接触层、反光层和焊料层，包括：

依次采用溅射技术形成欧姆接触层、反光层和焊料层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述依次采用溅射技术形成欧姆接触层、反光层和焊料层，包括：

将未形成所述P型电极和所述N型电极的芯片放置在磁控溅射设备内的腔体中，所述芯片与靶材的距离为3～10cm；

控制所述腔体的真空度为0.05～0.5KPa，利用氩离子轰击所述靶材，所述靶材溅射到所述芯片上，形成欧姆接触层、反光层或者焊料层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述芯片与靶材的距离为6cm。

9.根据权利要求5～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述焊料层包括依次层叠的至少两个子层，所述至少两个子层中距离所述反光层最远的所述子层的材料采用铝硅铜合金。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述至少两个子层中距离所述反光层最远的所述子层的厚度为10000～20000埃。