[发明专利]发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)，包括：

基底；

形成在基底上的第一半导体层；

形成在第一半导体层上且被构造成产生光的活性层；

形成在活性层上且具有与第一半导体层互补的导电类型的第二半导体层；以及

在形成于第二半导体层上的保护绝缘层之间形成且被构造成反射在活性层中产生的光的反射图案，该反射图案具有与保护绝缘层接触的导电阻挡层。

2.如权利要求1所述的LED，其中，反射图案还包括形成于第二半导体层上且构造成反射光的反射金属层，并且导电阻挡层屏蔽反射金属层的顶部和侧向表面。

3.如权利要求2所述的LED，其中，反射图案还包括应力松弛层，应力松弛层形成于反射金属层和导电阻挡层之间，且被构造成吸收由反射金属层和导电阻挡层之间的热膨胀系数差引起的应力。

4.如权利要求3所述的LED，其中，应力松弛层的热膨胀系数等于或高于导电阻挡层的热膨胀系数，且等于或低于反射金属层的热膨胀系数。

5.如权利要求3所述的LED，其中，反射金属层包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)或银合金。

6.如权利要求5所述的LED，其中，导电阻挡层包括钨(W)、钨化钛(TiW)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、铂(Pt)、铑(Rh)、钯(Pd)或镍(Ni)。

7.如权利要求6所述的LED，其中，当反射金属层包括铝或铝合金，且导电阻挡层包括W、TiW或Mo时，应力松弛层是由Ag、Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Cr形成的单层、或者由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Au形成的组合物。

8.如权利要求6所述的LED，其中，当反射金属层包括铝或铝合金，且导电阻挡层包括Ti、Cr、Pt、Rh、Pd或Ni时，应力松弛层是由Ag或Cu形成的单层、或者由Ni、Au、Cu或Ag形成的组合物。

9.如权利要求6所述的LED，其中，当反射金属层包括银或银合金，且导电阻挡层包括W、TiW或Mo时，应力松弛层是由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd或Cr形成的单层、或者由Cu、Ni、Pt、Ti、Rh、Pd、Cr或Au形成的组合物。

10.如权利要求6所述的LED，其中，当反射金属层包括银或银合金，且导电阻挡层包括Pt或Ni时，应力松弛层是由Cu、Cr、Rh、Pd、TiW或Ti形成的单层、或者由Ni、Au或Cu形成的组合物。

11.一种制造发光二极管(LED)的方法，包括：

在基底上顺序地形成第一半导体层、活性层、第二半导体层和保护绝缘层；

蚀刻保护绝缘层、第二半导体层和活性层，并且形成暴露第一半导体层的表面的台面区域；

在台面区域上形成具有外伸结构的光刻胶图案，并且蚀刻通过光刻胶图案之间的空间暴露的保护绝缘层；

在通过蚀刻保护绝缘层暴露的第二半导体层的表面上形成反射金属层；以及

在反射金属层上形成导电阻挡层，该导电阻挡层延伸至保留在光刻胶图案下方的保护绝缘层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，保护绝缘层的蚀刻步骤包括蚀刻通过光刻胶图案开放的区域，以及蚀刻由光刻胶图案的下部屏蔽的部分区域以留下位于光刻胶图案下方的保护绝缘层的一部分。

13.如权利要求11所述的方法，还包括：在形成反射金属层之后，在反射金属层上形成应力松弛层以吸收由热膨胀系数差引起的应力。

14.如权利要求11所述的方法，其中，保护绝缘层的蚀刻利用各向同性的湿法蚀刻工艺来执行。

15.一种制造发光二极管(LED)的方法，包括：

在基底上顺序形成第一半导体层、活性层和第二半导体层；

蚀刻第二半导体层和活性层，并且形成暴露第一半导体层的表面的台面区域；

在台面区域和暴露的第二半导体层上形成保护绝缘层；

在台面区域上形成具有外伸结构的光刻胶图案，并且蚀刻通过光刻胶图案之间的空间暴露的保护绝缘层；

在通过蚀刻保护绝缘层暴露的第二半导体层的表面上形成反射金属层；以及

在反射金属层上形成导电阻挡层，该导电阻挡层延伸至保留在光刻胶图案下方的保护绝缘层。