[发明专利]加温加压化成装置、化成方法及化成柜在审

专利信息
申请号: 201710166685.0 申请日: 2017-03-20
公开(公告)号: CN106785072A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 陈丹丹;吴振豪;张耀;王明旺;梁锐 申请(专利权)人: 欣旺达电子股份有限公司
主分类号: H01M10/058 分类号: H01M10/058;H01M10/04
代理公司: 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙)44343 代理人: 王杰辉
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 加温 加压 化成 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及到锂电池技术领域,特别是涉及到一种加温加压化成装置、化成方法及化成柜。

背景技术

在高温环境下,锂离子电池的动力学性能有一定的提升。在高温条件下使用较大电流进行化成可等效于常温下小电流化成的效果。同时,对于卷绕结构的电芯而言,由于隔膜张力、极片反弹、隔膜溶胀、化成产气等因素,致使化成界面不均匀,影响锂电池后期容量发挥及循环性能。因此,对锂电池进行加温加压有利于保证锂电池性能,同时节约成本。

然而现有常规的化成柜或电性能检测柜并不具有加热和加压的功能。市面上虽然有专门的高温加压化成设备,但是其价格高昂,且维护成本高,对于企业生产而言并不一定实用。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种加温加压化成装置、化成方法及化成柜,能为常规的化成柜或电性能检测柜增加加温加压功能,促进锂电池化成,降低锂电池生产成本和时间。

本发明提出一种加温加压化成装置,包括加热控制模块和加压模块;

所述加热控制模块包括加热元件、温度感应元件、温控仪;

所述加压模块包括加压底座、加压板;

所述加热元件设置于所述加压底座上;所述温控仪通过所述温度感应元件检测并控制加压底座的温度;

所述加压底座,用于摆放电池电芯;所述加压板与所述加压底座搭配,夹紧所述电池电芯,并通过外置重物控制所述电池电芯承受的压力。

优选地,所述加压底座由导热绝缘材料制成。

优选地,所述导热绝缘材料为陶瓷材料。

优选地,所述加压底座的端部与所述加压板的端部通过连接件连接。

优选地,所述连接件为铰链。

本发明还提出了一种使用上述任一项所述的加温加压化成装置的化成方法,包括以下步骤:

通过所述加热控制模块给电池电芯加热,使电池电芯达到预设温度;其中,所述电池电芯放置于所述加压底座上,所述加压板叠放于所述电池电芯上,所述加压板上放置指定重量的重物;

控制电源给电池电芯进行通电,开始化成。

优选地,所述通过所述加热控制模块给电池电芯加热,使电池电芯达到预设温度的步骤包括:

当所述温度感应元件检测到的温度达到第一预设温度时,降低所述加热元件的发热功率,所述第一预设温度低于所述预设温度。

本发明还提出了一种化成柜,包括若干个上述任一项所述的加温加压化成装置。

本发明提供了一种加温加压化成装置、化成方法及化成柜,能为常规的化成柜或电性能检测柜增加加温加压功能,促进锂电池化成,降低锂电池生产成本和时间。

附图说明

图1为本发明加温加压化成装置一实施例的结构示意图;

图2为本发明加温加压化成装置一实施例加压模块的结构示意图;

图3为本发明加温加压化成装置一实施例的使用状态图;

图4为本发明加温加压化成柜一实施例的使用状态图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

参照图1,本发明提出一种加温加压化成装置,包括加热控制模块20和加压模块10;

所述加热控制模块20包括加热元件、温度感应元件、温控仪;

所述加压模块10包括加压底座、加压板;

所述加热元件设置于所述加压底座上;所述温控仪通过所述温度感应元件检测并控制加压底座的温度;

所述加压底座,用于摆放电池电芯;所述加压板与所述加压底座搭配,夹紧所述电池电芯,并通过外置重物控制所述电池电芯承受的压力。

本发明实施例提出的加温加压化成装置可用于电池电芯的化成过程。在此处电池电芯指的是软包电池。

如图2所示,所述加压模块10包括加压底座1、加压板2。在一些实施例中,加压模块10还包括铰链3。加热元件(未示出)和温度感应元件(未示出)均设置于加压底座1内部。加热元件、温度感应元件与适配的温控仪(未示出)连接。

温控仪可采用AT89S52单片机作为系统核心部分控制电路。AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器,具有8K系统可编程Flash存储器。使用Atmel公司高密度非易失性存储器技术制造,与工业80C51产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统可编程,亦适于常规编程器。在单芯片上,拥有灵巧的8位CPU和在系统可编程Flash。

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