[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积缓冲层(20)、及金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到有源层(35)；

步骤S2、在所述缓冲层(20)、及有源层(35)上依次沉积绝缘层(40)、及栅极金属层(50)，对该绝缘层(40)、及栅极金属层(50)进行图案化处理得到栅极绝缘层(45)与栅极(55)；

以所述栅极(55)、及栅极绝缘层(45)为阻挡层，通过等离子掺杂工艺对所述有源层(35)进行第一次掺杂，使得所述有源层(35)上未被所述栅极(55)与栅极绝缘层(45)覆盖的区域的导电性增强，形成轻掺杂区(351)；

步骤S3、在所述栅极(55)、有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积层间介电层(60)，对该层间介电层(60)进行图案化处理，在所述层间介电层(60)上形成对应于所述轻掺杂区(351)上方的第一通孔(61)与第二通孔(62)；

步骤S4、在所述层间介电层(60)上沉积一层银膜，对所述层间介电层(60)进行高温退火处理，采用的退火温度为100-400℃，使银膜中的银扩散到有源层(35)的轻掺杂区(351)中，实现对所述有源层(35)进行第二次掺杂，使得所述轻掺杂区(351)上被所述第一通孔(61)与第二通孔(62)露出的区域的导电性进一步增强，变为重掺杂区(352)；然后利用刻蚀工艺将所述层间介电层(60)表面的银膜刻蚀掉；

步骤S5、在所述层间介电层(60)上沉积源漏极金属层(70)，对该源漏极金属层(70)进行图案化处理，得到源极(71)与漏极(72)，所述源极(71)和漏极(72)分别通过第一通孔(61)和第二通孔(62)与所述有源层(35)的重掺杂区(352)相接触。

2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，通过物理气相沉积法沉积银膜，所沉积银膜的厚度为

3.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用等离子增强化学气相沉积法沉积缓冲层(20)，所述缓冲层(20)的材料为氧化硅，所沉积缓冲层(20)的厚度为

4.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用物理气相沉积法沉积金属氧化物半导体层(30)，所沉积金属氧化物半导体层(30)的厚度为所述金属氧化物半导体层(30)的材料为铟镓锌氧化物、或铟镓锌锡氧化物。

5.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括，在对所述金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理之前，利用高温炉对所述金属氧化物半导体层(30)进行高温退火处理，退火温度为150-450℃。

6.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，分别通过等离子增强化学气相沉积法和物理气相沉积法沉积绝缘层(40)、及栅极金属层(50)，所述绝缘层(40)为氧化硅层、或者氮化硅层和氧化硅层的复合层，所沉积绝缘层(40)的厚度为所述栅极金属层(50)的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或多种，所沉积栅极金属层(50)的厚度为

所述步骤S2还包括，在沉积栅极金属层(50)之前，利用高温炉对所述绝缘层(40)进行高温退火处理，退火温度为150-450℃。

7.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，利用氩气、氮气、或氦气通过等离子掺杂工艺对所述有源层(35)进行第一次掺杂。

8.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，通过等离子增强化学气相沉积法沉积层间介电层(60)，所述层间介电层(60)为氧化硅层、或者氮化硅层和氧化硅层的复合层，所沉积层间介电层(60)的厚度为

9.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，通过物理气相沉积法沉积源漏极金属层(70)，所述源漏极金属层(70)的材料为钼、铝、铜、钛中的一种或多种，所沉积源漏极金属层(70)的厚度为