[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体衬底；在所述半导体衬底上的电介质层；以及在所述电介质层的第二部分上的第一硬掩模，其中所述电介质层未被所述第一硬掩模覆盖的部分为第一部分；

在所述半导体结构上形成第一共聚物；

执行退火处理，以使得所述第一共聚物形成交错排列的第一单体和第二单体；

去除所述第一单体；

以所述第二单体为掩模对所述第一部分进行刻蚀，以形成延伸到所述半导体衬底的第一沟槽；

去除所述第二单体和所述第一硬掩模；

在所述第一沟槽中外延形成第一半导体鳍片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第二部分中形成延伸到所述半导体衬底的第二沟槽；

在所述第二沟槽中外延形成第二半导体鳍片。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片包括SiGe鳍片。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一半导体鳍片和/或所述第二半导体鳍片中Ge的含量由下向上是渐变的。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第一半导体鳍片中Ge的含量由下向上逐渐增大，所述第二半导体鳍片中Ge的含量由下向上逐渐减小。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第一半导体鳍片中Ge的含量由下向上逐渐减小，所述第二半导体鳍片中Ge的含量由下向上逐渐增大。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第二部分中形成延伸到所述半导体衬底的第二沟槽包括：

在所述电介质层的第一部分上形成第二硬掩模；

在所述第二硬掩模和所述第二部分上形成第二共聚物；

执行退火处理，以使得所述第二共聚物形成交错排列的第三单体和第四单体；

去除所述第三单体；

以所述第四单体为掩模对所述第二部分进行刻蚀，以形成延伸到所述半导体衬底的第二沟槽；

去除所述第四单体和所述第二硬掩模。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第二共聚物与所述第一共聚物相同；

所述第三单体与所述第一单体相同；

所述第四单体与所述第二单体相同。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述电介质层进行回刻，以使得剩余的电介质层的上表面低于所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片的上表面。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一共聚物为苯乙烯-b-甲基丙稀酸甲酯。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一单体为甲基丙稀酸甲酯，所述第二单体为苯乙烯。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一单体的宽度为20nm，所述第二单体的宽度为15nm。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过旋涂的方式在所述半导体结构上形成所述第一共聚物。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一单体包括：

对所述第一单体进行紫外固化处理；

利用CH₃COOH对紫外固化处理后的第一单体进行清洗，以去除所述第一单体。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过反应离子刻蚀去除所述第二单体。

16.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度范围为80-150℃。